SECTIE H ELEKTRICITEIT

Aantekeningen

Deze Aantekeningen dekken de basisprincipes en algemene instructies voor het gebruik van Sectie H.

I. Onder Sectie H vallen:

a) elektrische basiselementen, waaronder alle elektrische eenheden en de algemene mechanische structuur van apparatuur en schakelingen vallen, inclusief de samenstelling van diverse basiselementen tot wat worden genoemd gedrukte schakelingen (printed circuits), en tevens tot op zekere hoogte het maken van deze elementen (voorzover niet elders ondergebracht);

b) het opwekken van elektriciteit, waaronder de opwekking, omzetting en distributie van elektriciteit vallen samen met het regelen van de overeenkomstige toestellen;

c) toegepaste elektriciteit, waaronder vallen:

(i) algemene gebruikstechnieken, nl. die van elektrische verwarming en elektrische verlichtingsschakelingen;

(ii) enige speciale gebruikstechnieken, hetzij elektrisch hetzij elektronisch in strikte zin, die niet vallen onder andere Secties van de Classificatie, inclusief:

1. elektrische lichtbronnen, inclusief lasers;

2. elektrische röntgentechniek;

3. elektrische plasmatechniek, en de opwekking en versnelling van elektrisch geladen deeltjes of neutronen;

d) elektronische basisschakelingen en hun regeling;

e) radio of elektrische communicatietechniek;

f) het gebruik van een specifiek materiaal voor het maken van het beschreven artikel of element. In dit verband moet gewezen worden op de paragrafen 88 tot 90 van de Gids.

II. In deze Sectie worden de volgende algemene regels toegepast:

a. Met inachtneming van de uitzonderingen zoals zoals vermeld onder I© hierboven, wordt elk elektrisch aspect of deel dat hoort bij een bepaalde apparatuur of werking, of een bepaald proces, object of artikel, geklasseerd in één van de Secties van de Classificatie anders dan in Sectie H, altijd geklasseerd in de subklasse voor die apparatuur of werking, of dat proces, object of artikel. Daar waar gezamelijke kenmerken met betrekking tot technische onderwerpen van overeenkomstige aard zijn uitgebracht op klasseniveau, is het elektrische aspect of deel, in overeenstemming met de apparatuur of werking, of het proces, object of artikel, geklasseerd in een subklasse waaronder de algemene elektrische toepassingen voor het technische onderwerp in kwestie geheel vallen;

b. The hierboven onder (a) bedoelde elektrische toepassingen, algemeen of specifiek, houden in:

i. de therapeutische processen en apparatuur, in klasse A61;

ii. de elektrische processen en apparatuur die worden gebruikt in verschillende laboratoriumacitiviteiten en industriële activiteiten, in de klassen B01 en B03, en in subklasse B23K;

iii. de elektriciteitstoevoer, en de elektrische aandrijving en verlichting bij voertuigen in het algemeen en bij bijzondere voertuigen, in de subsectie “Transport” van Sectie B;

iv. de elektrische ontstekingssystemen van verbrandingsmotoren, in subklasse F02P, en van verbrandingsapparatuur in het algemeen, in subklasse F23Q;

v. het gehele elektrische gedeelte van Sectie G, d.w.z. meetinrichtingen inclusief apparatuur voor het meten van elektrische variabelen, het controleren, het signaleren en het berekenen. Elektriciteit in die Sectie wordt in het algemeen gezien als middel en niet als einddoel op zich;

c. Alle elektrische toepassingen, zowel algemeen als specifiek, veronderstellen dat de elektrische basisaspecten in Sectie H voorkomt (zie I(a) hierboven) voor wat betreft de elektrische basiselementen die zij bevatten. Deze regel geldt ook voor toegepaste elektriciteit zoals bedoeld onder I(c) hierboven, die zelf onder Sectie H valt.

III. In deze Sectie komen de volgende speciale gevallen voor:

a. Onder de algemene toepassingen die onder andere Secties dan Sectie H vallen, is het vermeldenswaard, dat elektrische verwarming in het algemeen valt onder de subklassen F24D en F24H, of klasse F27, en dat elektrische verlichting in het algemeen gedeeltelijk valt onder klasse F21, omdat er in Sectie H (zie I(c) hierboven) plaatsen zijn in subklasse H05B waaronder dezelfde technische onderwerpen vallen;

b. In de beide gevallen waarover onder (a) hierboven wordt gesproken, vallen onder de subklassen van Sectie F die gaan over de respectievelijke onderwerpen, in hoofdzaak in de eerste plaats het gehele mechanische gedeelte van de apparatuur of inrichtingen, terwijl het elektrische gedeelte als zodanig valt onder subklasse H05B;

c. In het geval van verlichting moet onder dit mechanische gedeelte de materiaalopstelling van de verschillende elektrische elementen vallen, d.w.z. hun geometrische of fysieke positie ten opzichte van elkaar; dit aspect valt onder de subklassen van klasse F21, de elementen zelf en de primaire schakelingen blijven in Sectie H. Hetzelfde geldt voor elektrische lichtbronnen, als zij zijn gecombineerd met lichtbronnen van een ander soort. Deze vallen onder subklasse H05B, terwijl de fysieke opstelling die de combinatie vormt valt onder de subklassen van klasse F21; [16]

d. Met betrekking tot verwarming vallen niet alleen de elektrische elementen en schakelontwerpen als zodanig onder subklasse H05B, maar ook de elektrische aspecten van hun opstelling, daar waar het zaken met een algemene toepassing betreft; elektrische ovens worden op zich beschouwd. De fysieke plaatsing van de elektrische elementen in ovens valt onder Sectie F. Als een vergelijk wordt gemaakt met elektrische lasschakelingen, die in samenhang met lassen vallen onder subklasse B23K, blijkt dat elektrische verwarming niet valt onder de algemene regel zoals vermeld onder II hierboven.

H 01 ELEKTRISCHE BASISELEMENTEN

Aantekeningen

(1) Processen waarbij sprake is van slechts één technisch vakgebied, bijv. drogen of coaten, waarin elders is voorzien, worden geklasseerd in de relevante klasse voor dat vakgebied.

(2) De aandacht wordt gevestigd op de Aantekeningen volgend op de titels van klasse B81 en subklasse B81B met betrekking tot “microstructurele inrichtingen” en “microstructurele systemen”. [7]

H 01 L HALFGELEIDERINRICHTINGEN; NIET ELDERS ONDERGEBRACHTE ELEKTRISCHE HALFGELEIDERAPPARATUUR (gebruik van halfgeleiderinrichtingen voor meting G01; weerstanden in het algemeen H01C; magneten, inductieklossen, transformatoren H01F; condensatoren in het algemeen H01G; elektrolytische inrichtingen H01G 9/00; batterijen, accumulatoren H01M; golfgeleiders, resonatoren of leidingen die werken als golfgeleider H01P; verbindingsklemmen voor leidingen, stroomcollectoren H01R; inrichtingen met gestimuleerde emissie H01S; elektromechanische resonatoren H03H; luidsprekers, microfoons, platenspelers of soortgelijke akoestische elektromechanische transducers H04R; elektrische lichtbronnen in het algemeen H05B; gedrukte circuits, hybride circuits, omhulsels of constructieve details van elektrische apparatuur, maken van stelsels van elektrische componenten H05K; zie voor het gebruik van halfgeleiderinrichtingen in circuits met een specifieke toepassing de subklasse voor de toepassing) [2,10]

Aantekeningen

(1) Deze subklasse dekt:

- niet onder een andere subklasse vallende elektrische halfgeleiderapparatuur en details daarvan, en omvat aangepaste halfgeleiderinrichtingen voor het gelijkrichten, versterken, oscilleren of schakelen, halfgeleiderinrichtingen die gevoelig zijn voor straling; elektrische halfgeleiderapparatuur waarbij gebruik wordt gemaakt van thermo-elektrische, supergeleidende, piëzo-elektrische, elektrostrictieve, magnetostrictieve, galvanomagnetische of massa-negatieve weerstandseffecten en inrichtingen met een geïntegreerd circuit; [2]

- fotoweerstanden, van een magnetisch veld afhankelijke weerstanden, veldweerstanden, condensatoren met een potentiaalsprongbarrière, weerstanden met een potentiaalsprongbarrière of een oppervlaktebarrière, incoherente licht-uitstralende dioden en circuits in de vorm van een dunne of dikke film; [2]

- aangepaste processen en apparatuur voor het maken of behandelen van dergelijke inrichtingen, behalve waar dergelijke processen betrekking hebben op enkeltrapsprocessen waarin elders is voorzien. [2]

(2) In deze subklasse worden de volgende termen of uitdrukkingen gebruikt met de aangegeven betekenissen:

- “wafer” betekent een schijf van een halfgeleidermateriaal of van een kristallijn substraatmateriaal, die kan worden gemodificeerd door diffusie van verontreinigingen (doping), ionenimplantatie of laagsgewijze opbouw, en waarvan het actieve oppervlak kan worden verwerkt tot reeksen van op zich staande componenten of geïntegreerde schakelingen; [8]

- “halfgeleiderlichaam” betekent het materiaallichaam waarin, of op de oppervlakte waarvan, de fysische effectenkarakteristiek van de inrichting plaatsvindt. In thermo-elektrische inrichtingen omvat het alle materialen in het stroom-pad. Gebieden in of op het lichaam van de inrichting (anders dan het halfgeleiderlichaam zelf) die een elektrische invloed uitoefenen op het halfgeleiderlichaam, worden beschouwd als “elektroden”, ongeacht of er nu wel of niet een elektrische verbinding van buitenaf mee wordt gemaakt. Een elektrode kan diverse gedeelten omvatten, en de term omvat tevens metaalachtige gedeelten die invloed uitoefenen op het halfgeleiderlichaam via een isolatiegebied (bijv. een capacitieve koppeling) en inductieve koppelvoorzieningen naar het lichaam. Het diëlectrische gebied in een capacitieve opstelling wordt gezien als deel van de elektrode. In voorzieningen met meerdere gedeelten worden slechts die gedeelten die op grond van hun vorm, grootte of plaatsing of het materiaal waaruit zij worden gevormd invloed uitoefenen op het halfgeleiderlichaam, beschouwd als deel van de elektrode. De andere delen worden beschouwd als “voorzieningen voor het geleiden van een elektrische stroom naar of van het halfgeleiderlichaam” of als “onderlinge verbindingen tussen halfgeleidercomponenten die zijn gevormd in of op een gemeenschappelijk substraat”, d.w.z. leidingen; [2]

- “inrichting” betekent een elektrisch circuitelement; als een elektrisch circuitelement deel uitmaakt van meerdere elementen die zijn gevormd in of op een gemeenschappelijk substraat, wordt gesproken over een “component”; [2]

- “volledige inrichting” is een inrichting in volledig opgebouwde staat waarbij wel of geen verdere behandeling, bijv. elektroformeren, en tevens geen toevoeging van verdere structurele eenheden nodig is voor het gebruiksklaar maken; [2]

- “delen” omvat alle structurele eenheden die deel uitmaken van een volledige inrichting; [2]

- “container” is een omhulsel dat deel uitmaakt van de volledige inrichting en de vorm heeft van een vaste constructie waarin het lichaam van de inrichting is aangebracht, of dat wordt gevormd rondom het lichaam zonder het vormen van een innige laag daarop. Een omhulsel dat bestaat uit één of meer lagen op het lichaam en in innig contact daarmee, wordt een “inkapseling” genoemd; [2]

- “geïntegreerd circuit” is een inrichting waarbij alle componenten, bijv. dioden of weerstanden, op een gemeenschappelijk substraat zijn opgebouwd en de inrichting vormen inclusief onderlinge verbindingen tussen de componenten; [2]

- “samenstellen” van een inrichting is het opbouwen van de inrichting uit de constructieve componenteenheden en omvat het aanbrengen van vullingen in containers. [2]

(3) In deze subklasse worden zowel de proces of de apparatuur voor het maken of behandelen van een inrichting als de inrichting zelf geklasseerd, steeds als deze beide voldoende zijn beschreven om van belang te zijn. [6]

(4) De aandacht wordt gevestigd op Aantekening (3) volgend op de titel van Sectie C, waarin wordt gewezen op de versie van het Periodiek Systeem waaraan de IPC refereert. [10]

H 01 L 21/00 Speciaal aangepaste processen of apparatuur voor het maken of behandelen van halfgeleiderinrichtingen of halfgeleiderapparatuur of van delen daarvan [2,8,9]

Aantekening

De groepen H01L 21/70 tot H01L 21/98 hebben voorrang boven de groepen H01L 21/02 tot H01L 21/67. [2,8]

H 01 L 21/02 . Maken of behandelen van halfgeleiderinrichtingen of delen daarvan [2,8]

H 01 L 21/027 . . Maken van maskers op halfgeleiderlichamen voor verdere foto-lithografische verwerking, die niet vallen onder de groepen H01L 21/18 of H01L 21/34 [5]

H 01 L 21/033 . . . met anorganische lagen [5]

H 01 L 21/04 . . waarbij de inrichtingen tenminste één potentiaalsprongbarrière of oppervlaktebarrière hebben, bijv. een PN-junctie, verarmde laag of laag met een dragerconcentratie [2]

H 01 L 21/06 . . . waarbij de inrichtingen halfgeleiderlichamen hebben die seleen of telluur bevatten in een andere niet- chemisch gebonden vorm dan als verontreinigingen in halfgeleiderlichamen van andere materialen [2]

H 01 L 21/08 . . . . Voorbereiden van de grondplaat [2]

H 01 L 21/10 . . . . Voorbehandelen van het seleen of telluur, aanbrengen ervan op de grondplaat of vervolgens behandelen van de combinatie [2]

H 01 L 21/103 . . . . . Omzetten van het seleen of telluur naar de geleidende staat [2]

H 01 L 21/105 . . . . . Behandelen van het oppervlak van de seleen-laag of telluur-laag na het geleidend maken daarvan [2]

H 01 L 21/108 . . . . . Voorziening van gescheiden isolatielagen, d.w.z. niet-genetische barrièrelagen [2]

H 01 L 21/12 . . . . Aanbrengen van een elektrode op het belichte oppervlak van het seleen of telluur na het aanbrengen van het seleen of telluur op de grondplaat [2]

H 01 L 21/14 . . . . Behandelen van de volledige inrichting, bijv. door het vormen van een barrière door elektroformeren [2]

H 01 L 21/145 . . . . . Verouderen [2]

H 01 L 21/16 . . . waarbij de inrichtingen halfgeleiderlichamen hebben die koperoxide of koperjodide bevatten [2]

H 01 L 21/18 . . . waarbij de inrichtingen halfgeleiderlichamen hebben die elementen uit de vierde groep van het Periodiek Systeem of A_IIIB_V verbindingen met of zonder verontreinigingen bevatten, bijv. doping materialen [2,6,7]

Aantekening

Onder deze groep vallen tevens processen en apparatuur die , door gebruik te maken van de toepasselijke technologie, duidelijk geschikt zijn voor het maken of behandelen van inrichtingen waarvan de lichamen elementen bevatten uit de vierde groep van het Periodiek Systeem of A_IIIB_V verbindingen, zelfs als het gebruikte materiaal niet expliciet wordt omschreven. [7]

H 01 L 21/20 . . . . Afzetten van halfgeleidermaterialen op een substraat, bijv. epitaxiale groei [2]

H 01 L 21/203 . . . . . gebruikmakend van fysische afzetting, bijv. vacuümafzetting of kathodeverstuiving [2]

H 01 L 21/205 . . . . . gebruikmakend van het reduceren of ontleden van een gasvormige verbinding die neigt tot een vast condensaat, d.w.z. door chemische afzetting [2]

H 01 L 21/208 . . . . . gebruikmakend van vloeistofafzetting [2]

H 01 L 21/22 . . . . Diffunderen van verontreinigingsmaterialen, bijv. doping materialen of elektrodematerialen, in of uit een halfgeleiderlichaam of tussen halfgeleidergebieden; Herverdelen van verontreinigingsmaterialen, bijv. zonder inbrengen of verwijderen van verdere dopant [2]

H 01 L 21/223 . . . . . gebruikmakend van diffusie in of uit een vaste stof van of naar een gasvormige fase [2]

H 01 L 21/225 . . . . . gebruikmakend van diffusie in of uit een vaste stof van of naar een vaste fase, bijv. een doped oxidelaag [2]

H 01 L 21/228 . . . . . gebruikmakend van diffusie in of uit een vaste stof van of naar een vloeibare fase, bijv. een legering-diffusieproces [2]

H 01 L 21/24 . . . . Legeren van verontreinigingsmaterialen, bijv. doping materialen of elektrodematerialen, met een halfgeleiderlichaam [2]

H 01 L 21/26 . . . . Bombarderen met golfstraling of deeltjesstraling [2,9]

H 01 L 21/261 . . . . . voor het produceren van een kernreactie waarbij chemische elementen wordt getransmuteerd [6]

H 01 L 21/263 . . . . . met hoogenergetische straling (H01L 21/261 heeft voorrang) [2,6]

H 01 L 21/265 . . . . . . waarbij ionenimplantatie wordt geproduceerd [2,9]

H 01 L 21/266 . . . . . . . gebruikmakend van maskers [5]

H 01 L 21/268 . . . . . . gebruikmakend van elektromagnetische straling, bijv. laserstraling [2]

H 01 L 21/28 . . . . Maken van elektroden op halfgeleiderlichamen waarbij gebruik wordt gemaakt van processen of apparatuur die niet vallen onder de groepen H01L 21/20 tot H01L 21/268 [2]

H 01 L 21/283 . . . . . Afzetten van geleidingsmaterialen of isolatiematerialen voor elektroden [2]

H 01 L 21/285 . . . . . . uit een gas of damp, bijv. condensatie [2]

H 01 L 21/288 . . . . . . uit een vloeistof, bijv. elektrolytische afzetting [2]

H 01 L 21/30 . . . . Behandelen van halfgeleiderlichamen waarbij gebruik wordt gemaakt van processen of apparatuur die niet vallen onder de groepen H01L 21/20 tot H01L 21/26 (maken van elektroden daarop H01L 21/28) [2]

H 01 L 21/301 . . . . . voor het onderverdelen van een halfgeleiderlichaam in afzonderlijke delen, bijv. het maken van afscheidingen (snijden H01L 21/304) [6]

H 01 L 21/302 . . . . . voor het veranderen van de fysische karakteristieken van hun oppervlakken, of voor het veranderen van hun vorm, bijv. etsen, polijsten of snijden [2]

H 01 L 21/304 . . . . . . Mechanisch behandelen, bijv. slijpen, polijsten of snijden [2]

H 01 L 21/306 . . . . . . Chemisch of elektrisch behandelen, bijv. elektrolytisch etsen (voor het vormen van isolatielagen H01L 21/31; nabehandelen van isolatielagen H01L 21/3105) [2]

H 01 L 21/3063 . . . . . . . Elektrolytisch etsen [6]

H 01 L 21/3065 . . . . . . . Plasma-etsen; Etsen met reactieve ionen [6]

H 01 L 21/308 . . . . . . . gebruikmakend van maskers (H01L 21/3063 en H01L 21/3065 hebben voorrang) [2,6]

H 01 L 21/31 . . . . . voor het vormen van isolatielagen daarop, bijv. voor maskering of door gebruik te maken van foto-lithografische technieken (inkapselende lagen H01L 21/56); Nabehandelen van deze lagen; Selectie van materialen voor deze lagen [2,5,9]

H 01 L 21/3105 . . . . . . Nabehandelen [5]

H 01 L 21/311 . . . . . . . Etsen van de isolatielagen [5]

H 01 L 21/3115 . . . . . . . Doping van de isolatielagen [5]

H 01 L 21/312 . . . . . . Organische lagen, bijv. fotobestendig (H01L 21/3105 en H01L 21/32 hebben voorrang) [2,5]

H 01 L 21/314 . . . . . . Anorganische lagen (H01L 21/3105 en H01L 21/32 hebben voorrang) [2,5]

H 01 L 21/316 . . . . . . . opgebouwd uit oxiden, glasachtige oxiden of op oxide gebaseerd glas [2]

H 01 L 21/318 . . . . . . . opgebouwd uit nitriden [2]

H 01 L 21/32 . . . . . . gebruikmakend van maskers [2,5]

H 01 L 21/3205 . . . . . . Afzetten van niet-isolerende lagen, bijv. geleidingslagen of weerstandslagen, op isolatielagen; Nabehandelen van deze lagen (maken van elektroden H01L 21/28) [5,9]

H 01 L 21/321 . . . . . . . Nabehandelen [5]

H 01 L 21/3213 . . . . . . . . Fysisch of chemisch etsen van de lagen, bijv. voor het produceren van een patroon-laag uit een eerder afgezette uitgestrekte laag [6]

H 01 L 21/3215 . . . . . . . . Doping van de lagen [5]

H 01 L 21/322 . . . . . voor het modificeren van hun inwendige eigenschappen, bijv. voor het produceren van inwendige gebreken [2]

H 01 L 21/324 . . . . . Thermisch behandelen voor het modificeren van de eigenschappen van halfgeleiderlichamen, bijv. uitgloeien of sinteren (H01L 21/20 tot H01L 21/288 en H01L 21/302 tot H01L 21/322 hebben voorrang) [2]

H 01 L 21/326 . . . . . Aanbrengen van elektrische stromen of velden, bijv. voor elektroformeren (H01L 21/20 tot H01L 21/288 en H01L 21/302 tot H01L 21/324 hebben voorrang) [2]

H 01 L 21/328 . . . . Meertrapsprocessen voor het maken van bipolaire inrichtingen, bijv. dioden, transistors of thyristors [5]

H 01 L 21/329 . . . . . waarbij de inrichtingen één of twee elektroden bevatten, bijv. dioden [5]

H 01 L 21/33 . . . . . waarbij de inrichtingen drie of meer elektroden bevatten [5]

H 01 L 21/331 . . . . . . Transistors [5]

H 01 L 21/332 . . . . . . Thyristors [5]

H 01 L 21/334 . . . . Meertrapsprocessen voor het maken van unipolaire inrichtingen [5]

H 01 L 21/335 . . . . . Veldtransistoren [5]

H 01 L 21/336 . . . . . . met een geïsoleerde poort [5]

H 01 L 21/337 . . . . . . met een PN-junctiepoort [5]

H 01 L 21/338 . . . . . . met een Schottky-poort [5]

H 01 L 21/339 . . . . . Inrichtingen voor het overdragen van lading [5,6]

H 01 L 21/34 . . . waarbij de inrichtingen halfgeleiderlichamen hebben die niet vallen onder de groepen H01L 21/06, H01L 21/16 of H01L 21/18 met of zonder verontreinigingen, bijv. doping materiaal [2]

H 01 L 21/36 . . . . Afzetten van halfgeleidermaterialen op een substraat, bijv. epitaxiale groei [2]

H 01 L 21/363 . . . . . gebruikmakend van fysische afzetting, bijv. vacuümafzetting of kathodeverstuiving [2]

H 01 L 21/365 . . . . . gebruikmakend van het reduceren of ontleden van een gasvormige verbinding die neigt tot een vast condensaat, d.w.z. chemische afzetting [2]

H 01 L 21/368 . . . . . gebruikmakend van vloeistofafzetting [2]

H 01 L 21/38 . . . . Diffunderen van verontreinigingsmaterialen, bijv. doping materialen of elektrodematerialen, in of uit een halfgeleiderlichaam of tussen halfgeleidergebieden [2]

H 01 L 21/383 . . . . . gebruikmakend van diffusie in of uit een vaste stof van of naar een gasvormige fase [2]

H 01 L 21/385 . . . . . gebruikmakend van diffusie in of uit een vaste stof van of naar een vaste fase, bijv. een doped oxidelaag [2]

H 01 L 21/388 . . . . . gebruikmakend van diffusie in of uit een vaste stof van of naar een vloeibare fase, bijv. een legering- diffusieproces [2]

H 01 L 21/40 . . . . Legeren van verontreinigingsmaterialen, bijv. doping materialen of elektrodematerialen, met een halfgeleiderlichaam [2]

H 01 L 21/42 . . . . Bombarderen met straling [2]

H 01 L 21/423 . . . . . met hoogenergetische straling [2]

H 01 L 21/425 . . . . . . waarbij ionenimplantatie wordt geproduceerd [2,9]

H 01 L 21/426 . . . . . . . gebruikmakend van maskers [5]

H 01 L 21/428 . . . . . . gebruikmakend van elektromagnetische straling, bijv. laserstraling [2]

H 01 L 21/44 . . . . Maken van elektroden op halfgeleiderlichamen waarbij gebruik wordt gemaakt van processen of apparatuur die niet vallen onder de groepen H01L 21/36 tot H01L 21/428 [2]

H 01 L 21/441 . . . . . Afzetten van geleidingsmaterialen of isolatiematerialen voor elektroden [2]

H 01 L 21/443 . . . . . . uit een gas of damp, bijv. condensatie [2]

H 01 L 21/445 . . . . . . uit een vloeistof, bijv. elektrolytische afzetting [2]

H 01 L 21/447 . . . . . waarbij sprake is van het uitoefenen van druk, bijv. verlijmen onder invloed van warmte en druk (H01L 21/607 heeft voorrang) [2]

H 01 L 21/449 . . . . . waarbij sprake is van het uitoefenen van mechanische trillingen, bijv. ultrasoontrillingen [2]

H 01 L 21/46 . . . . Behandelen van halfgeleiderlichamen waarbij gebruik wordt gemaakt van processen of apparatuur die niet vallen onder de groepen H01L 21/36 tot H01L 21/428 (maken van elektroden daarop H01L 21/44) [2]

H 01 L 21/461 . . . . . voor het veranderen van hun fysische oppervlaktekarakteristieken of vorm, bijv. etsen, polijsten of snijden [2]

H 01 L 21/463 . . . . . . Mechanisch behandelen, bijv. slijpen of schuren, of ultrasoon behandelen [2]

H 01 L 21/465 . . . . . . Chemisch of elektrisch behandelen, bijv. elektrolytisch etsen (voor het vormen van isolatielagen H01L 21/469) [2]

H 01 L 21/467 . . . . . . . gebruikmakend van maskers [2]

H 01 L 21/469 . . . . . . voor het vormen van isolatielagen daarop, bijv. voor maskering of door gebruik te maken van foto-lithografische technieken (inkapselende lagen H01L 21/56); Nabehandelen van deze lagen [2,5,9]

H 01 L 21/47 . . . . . . . Organische lagen, bijv. fotobestendig (H01L 21/475 en H01L 21/4757 hebben voorrang) [2,5]

H 01 L 21/471 . . . . . . . Anorganische lagen (H01L 21/475 en H01L 21/4757 hebben voorrang) [2,5]

H 01 L 21/473 . . . . . . . . opgebouwd uit oxiden, glasachtige oxiden of op oxiden gebaseerd glas [2]

H 01 L 21/475 . . . . . . . gebruikmakend van maskers [2,5]

H 01 L 21/4757 . . . . . . . Nabehandelen [5]

H 01 L 21/4763 . . . . . . Afzetten van niet-isolerende lagen, bijv. geleidingslagen of weerstandslagen, op isolatielagen; Nabehandelen van deze lagen (maken van elektroden H01L 21/28) [5]

H 01 L 21/477 . . . . . Thermisch behandelen voor het modificeren van de eigenschappen van halfgeleiderlichamen, bijv. uitgloeien of sinteren (H01L 21/36 tot H01L 21/449 en H01L 21/461 tot H01L 21/475 hebben voorrang) [2]

H 01 L 21/479 . . . . . Aanbrengen van elektrische stromen of velden, bijv. voor het elektroformeren (H01L 21/36 tot H01L 21/449 en H01L 21/461 tot H01L 21/477 hebben voorrang) [2]

H 01 L 21/48 . . . Maken of behandelen van delen, bijv. containers, voorafgaand aan het samenstellen van de inrichtingen, waarbij gebruik wordt gemaakt van processen die niet vallen onder één van de groepen H01L 21/06 tot H01L 21/326 [2,9]

H 01 L 21/50 . . . Samenstellen van halfgeleiderinrichtingen waarbij gebruik wordt gemaakt van processen of apparatuur die niet vallen onder één van de groepen H01L 21/06 tot H01L 21/326 [2]

H 01 L 21/52 . . . . Bevestigen van halfgeleiderlichamen in containers [2]

H 01 L 21/54 . . . . Zorgen voor vullingen in containers, bijv. gasvullingen [2]

H 01 L 21/56 . . . . Inkapselingen, bijv. inkapselende lagen of coatings [2]

H 01 L 21/58 . . . . Bevestigen van halfgeleiderinrichtingen op steunen [2]

H 01 L 21/60 . . . . Vastmaken van leidingen of andere geleidingslichamen die moeten worden gebruikt voor het transporteren van stroom naar of van de werkende inrichting [2]

H 01 L 21/603 . . . . . waarbij sprake is van het uitoefenen van druk, bijv. verlijmen onder invloed van warmte en druk (H01L 21/607 heeft voorrang) [2]

H 01 L 21/607 . . . . . waarbij sprake is van mechanische trillingen, bijv. ultrasoontrillingen [2]

H 01 L 21/62 . . waarbij de inrichtingen geen potentiaalsprongbarrière of oppervlaktebarrière hebben [2]

H 01 L 21/64 . Maken of behandelen van andere halfgeleiderapparatuur dan halfgeleiderinrichtingen, of van delen daarvan, die niet speciaal zijn aangepast voor één soort inrichting uit de groepen H01L 31/00 tot H01L 51/00 [2,8]

H 01 L 21/66 . Testen of meten tijdens fabricage of behandeling [2,9]

H 01 L 21/67 . Speciaal aangepaste apparatuur voor het hanteren van halfgeleiderinrichtingen of elektrische halfgeleiderapparatuur tijdens het maken of behandelen daarvan; Speciaal aangepaste apparatuur voor het hanteren van wafers tijdens het maken of behandelen van halfgeleiderinrichtingen of elektrische halfgeleiderapparatuur of componenten daarvan [8]

H 01 L 21/673 . . gebruikmakend van speciaal aangepaste dragers [8]

H 01 L 21/677 . . voor het transport, bijv. tussen verschillende werkstations [8]

H 01 L 21/68 . Apparatuur voor het positioneren, richten of uitlijnen [2,8,9]

H 01 L 21/683 . . voor het ondersteunen of vastgrijpen (voor het positioneren, richten of uitlijnen H01L 21/68) [8,9]

H 01 L 21/687 . . . gebruikmakend van mechanische middelen, bijv. klemmen, klampen of knijpers [8]

H 01 L 21/70 . Maken of behandelen van inrichtingen die bestaan uit meerdere halfgeleider componenten of geïntegreerde circuits in of op een gemeenschappelijk substraat, of van specifieke delen daarvan; Maken van inrichtingen met geïntegreerde circuits of van specifieke delen daarvan (maken van stelsels die bestaan uit voorgevormde elektrische componenten H05K 3/00 of H05K 13/00) [2]

H 01 L 21/71 . . Maken van specifieke delen van inrichtingen uit groep H01L 21/70 (H01L 21/28, H01L 21/44 en H01L 21/48 hebben voorrang) [6]

H 01 L 21/74 . . . Maken van afgedekte gebieden met een hoge concentratie aan verontreinigingen, bijv. ingegraven collectorlagen of inwendige verbindingen [2]

H 01 L 21/76 . . . Maken van geïsoleerde gebieden tussen componenten [2]

H 01 L 21/761 . . . . PN-juncties [6]

H 01 L 21/762 . . . . Diëlectrische gebieden [6]

H 01 L 21/763 . . . . Polykristallijne halfgeleidergebieden [6]

H 01 L 21/764 . . . . Luchtspleten [6]

H 01 L 21/765 . . . . door een veldeffect [6]

H 01 L 21/768 . . . Aanbrengen van onderlinge verbindingen die moeten worden gebruikt voor het transporteren van stroom tussen afzonderlijke componenten in een inrichting [6]

H 01 L 21/77 . . Maken of behandelen van inrichtingen die bestaan uit meerdere halfgeleider componenten of geïntegreerde circuits, die zijn gevormd in of op een gemeenschappelijk substraat (elektrisch programmeerbare dode geheugens (EPROM) of meertrapsproductieprocessen daarvoor H01L 27/115) [6,17]

H 01 L 21/78 . . . met een daaropvolgende verdeling van het substraat in meerdere afzonderlijke inrichtingen (snijden voor het veranderen van de fysische oppervlaktekarakteristieken of vorm van halfgeleiderlichamen  H01L 21/304) [2,6]

H 01 L 21/782 . . . . voor het produceren van inrichtingen die elk bestaan uit één circuitelement (H01L 21/82 heeft voorrang) [6]

H 01 L 21/784 . . . . . waarbij het substraat een halfgeleiderlichaam is [6]

H 01 L 21/786 . . . . . waarbij het substraat iets anders is als een halfgeleiderlichaam, bijv. een isolatielichaam [6]

H 01 L 21/82 . . . . voor het produceren van inrichtingen, bijv. geïntegreerde circuits, die elk bestaan uit meerdere componenten [2]

H 01 L 21/822 . . . . . waarbij het substraat een halfgeleider is waarbij gebruik wordt gemaakt van siliciumtechnologie (H01L 21/8258 heeft voorrang) [6]

H 01 L 21/8222 . . . . . . Bipolaire technologie [6]

H 01 L 21/8224 . . . . . . . met een combinatie van verticale en dwarse transistors [6]

H 01 L 21/8226 . . . . . . . met invoegtransistorlogica of geïntegreerde injectielogica [6]

H 01 L 21/8228 . . . . . . . Complementaire inrichtingen, bijv. complementaire transistors [6]

H 01 L 21/8229 . . . . . . . Geheugenstructuren [6]

H 01 L 21/8232 . . . . . . Veldtechnologie [6]

H 01 L 21/8234 . . . . . . . MIS-technologie [6]

H 01 L 21/8236 . . . . . . . . Combinaties van verrijkingstransistors en verarmingstransistors [6]

H 01 L 21/8238 . . . . . . . . Complementaire veldtransistors, bijv. een CMOS [6]

H 01 L 21/8239 . . . . . . . . Geheugenstructuren [6]

H 01 L 21/8242 . . . . . . . . . Dynamische direct toegankelijke geheugenstructuren (DRAM) [6]

H 01 L 21/8244 . . . . . . . . . Statische direct toegankelijke geheugenstructuren (SRAM) [6]

H 01 L 21/8246 . . . . . . . . . Dode geheugenstructuren (ROM) [6]

H 01 L 21/8248 . . . . . . Combinaties van bipolaire technologie en veldtechnologie [6]

H 01 L 21/8249 . . . . . . . Bipolaire technologie en MOS-technologie [6]

H 01 L 21/8252 . . . . . waarbij het substraat een halfgeleider is waarbij gebruik wordt gemaakt van III-V-technologie (H01L 21/8258 heeft voorrang) [6]

H 01 L 21/8254 . . . . . waarbij het substraat een halfgeleider is waarbij gebruik wordt gemaakt van II-VI-technologie (H01L 21/8258 heeft voorrang) [6]

H 01 L 21/8256 . . . . . waarbij het substraat een halfgeleider is waarbij gebruik wordt gemaakt van technologieën die niet vallen onder één van de groepen H01L 21/822, H01L 21/8252 of H01L 21/8254 (H01L 21/8258 heeft voorrang) [6]

H 01 L 21/8258 . . . . . waarbij het substraat een halfgeleider is waarbij gebruik wordt gemaakt van een combinatie van technologieën die vallen onder de groepen H01L 21/822, H01L 21/8252, H01L 21/8254 of H01L 21/8256 [6]

H 01 L 21/84 . . . . . waarbij het substraat iets anders is als een halfgeleiderlichaam, bijv. een isolatielichaam [2]

H 01 L 21/86 . . . . . . waarbij het isolatielichaam saffier is, bijv. silicium op een saffierstructuur, d.w.z. een SOS [2,6]

H 01 L 21/98 . . Samenstelsels van inrichtingen die bestaan uit halfgeleider componenten die worden gevormd in of op een gemeenschappelijk substraat; Samenstelsels van inrichtingen met geïntegreerde circuits (H01L 21/50 heeft voorrang) [2,5,9]

H 01 L 23/00 Details van halfgeleiderinrichtingen of andere halfgeleiderapparatuur (H01L 25/00 heeft voorrang) [2,5]

Aantekening

Deze groep dekt geen:

- details van halfgeleiderlichamen of van elektroden van inrichtingen uit groep H01L 29/00, welke details vallen onder die groep;

- details van inrichtingen uit één hoofdgroep van de groepen H01L 31/00 tot H01L 51/00, welke details vallen onder die groepen. [5,8]

H 01 L 23/02 . Containers; Afdichtingen (H01L 23/12, H01L 23/34, H01L 23/48 en H01L 23/552 hebben voorrang) [2,5]

H 01 L 23/04 . . gekenmerkt door de vorm [2]

H 01 L 23/043 . . . waarbij de container een holle constructie is, en een geleidende basis heeft als zowel bevestiging als leiding voor het halfgeleiderlichaam [5]

H 01 L 23/045 . . . . waarbij de andere leidingen een isolerende doorgang door de basis hebben [5]

H 01 L 23/047 . . . . waarbij de andere leidingen parallel aan de basis lopen [5]

H 01 L 23/049 . . . . waarbij de andere leidingen dwars op de basis staan [5]

H 01 L 23/051 . . . . waarbij een andere leiding wordt gevormd door een dekplaat parallel aan de basisplaat, bijv. in de vorm van een sandwich [5]

H 01 L 23/053 . . . waarbij de container een holle constructie is, en een isolerende basis heeft als bevestiging voor het halfgeleiderlichaam [5]

H 01 L 23/055 . . . . waarbij de leidingen een doorgang door de basis hebben [5]

H 01 L 23/057 . . . . waarbij de leidingen parallel aan de basis lopen [5]

H 01 L 23/06 . . gekenmerkt door het materiaal van de container of de elektrische eigenschappen daarvan [2]

H 01 L 23/08 . . . waarbij het materiaal een elektrische isolator is, bijv. glas [2]

H 01 L 23/10 . . gekenmerkt door het materiaal of de opstelling van afdichtingen tussen delen, bijv. tussen deksel en basis van de container of tussen leidingen en wanden van de container [2]

H 01 L 23/12 . Bevestigingen, bijv. niet-losmaakbare isolatiesubstraten [2]

H 01 L 23/13 . . gekenmerkt door de vorm [5]

H 01 L 23/14 . . gekenmerkt door het materiaal of de elektrische eigenschappen daarvan [2]

H 01 L 23/15 . . . Keramische substraten of glassubstraten [5]

H 01 L 23/16 . Vullingen of hulplichamen in containers, bijv. centreerringen (H01L 23/42 en H01L 23/552 hebben voorrang) [2,5]

H 01 L 23/18 . . Vullingen die worden gekenmerkt door het materiaal, de fysische of chemische eigenschappen daarvan of de opstelling daarvan in de volledige inrichting [2]

Aantekening

Groep H01L 23/26 heeft voorrang boven de groepen H01L 23/20 tot H01L 23/24. [2]

H 01 L 23/20 . . . gasvormig bij de normale werktemperatuur van de inrichting [2]

H 01 L 23/22 . . . vloeibaar bij de normale werktemperatuur van de inrichting [2]

H 01 L 23/24 . . . vast of gelvormig bij de normale werktemperatuur van de inrichting [2]

H 01 L 23/26 . . . inclusief materialen voor het absorberen van of het reageren met vocht of andere ongewenste substanties [2]

H 01 L 23/28 . Inkapselingen, bijv. inkapselende lagen of coatings (H01L 23/552 heeft voorrang) [2,5]

H 01 L 23/29 . . gekenmerkt door het materiaal [5]

H 01 L 23/31 . . gekenmerkt door de opstelling [5]

H 01 L 23/32 . Houders voor het ondersteunen van de volledige inrichting in werking, d.w.z. losmaakbare armaturen (H01L 23/40 heeft voorrang) [2,5,9]

H 01 L 23/34 . Voorzieningen voor koeling, verwarming, ventilatie of temperatuurcompensatie [2,5]

H 01 L 23/36 . . Selectie van materialen of vormen voor het koelen of verwarmen, bijv. warmteputten [2]

H 01 L 23/367 . . . Koelen door de vorm van de inrichting [5]

H 01 L 23/373 . . . Koelen door de selectie van materialen voor de inrichting [5]

H 01 L 23/38 . . Koelvoorzieningen waarbij gebruik wordt gemaakt van het Peltier-effect [2]

H 01 L 23/40 . . Bevestigingen of vastzetmiddelen voor losmaakbare koelvoorzieningen of verwarmingsvoorzieningen [2]

H 01 L 23/42 . . Vullingen of hulplichamen in containers die zijn geselecteerd of aangebracht voor het kunnen verwarmen of koelen [2,5,9]

H 01 L 23/427 . . . Koelen door het veranderen van aggregaatstoestand, bijv. gebruik van warmtepijpen [5]

H 01 L 23/433 . . . Hulplichamen die worden gekenmerkt door hun vorm, bijv. zuigers [5]

H 01 L 23/44 . . waarbij de volledige inrichting geheel is ondergedompeld in een ander fluïdum dan lucht (H01L 23/427 heeft voorrang) [2,5]

H 01 L 23/46 . . waarbij sprake is van het overdragen van warmte door stromende fluïda (H01L 23/42 en H01L 23/44 hebben voorrang) [2]

H 01 L 23/467 . . . door stromende gassen, bijv. lucht [5]

H 01 L 23/473 . . . door stromende vloeistoffen [5]

H 01 L 23/48 . Voorzieningen voor het geleiden van elektrische stroom naar of van het werkende halfgeleider lichaam, bijv. leidingen of aansluitklemvoorzieningen [2,9]

H 01 L 23/482 . . bestaande uit invoerlagen die onafscheidelijk zijn aangebracht op het halfgeleiderlichaam [5]

H 01 L 23/485 . . . bestaande uit gelaagde constructies die geleidingslagen en isolatielagen bevatten, bijv. platte contacten [5]

H 01 L 23/488 . . bestaande uit gesoldeerde of gelijmde constructies [5,8]

H 01 L 23/49 . . . draadvormig [5]

H 01 L 23/492 . . . Bases of platen [5]

H 01 L 23/495 . . . Leidingframes [5]

H 01 L 23/498 . . . Leidingen op isolerende substraten [5]

H 01 L 23/50 . . voor inrichtingen met geïntegreerde circuits (H01L 23/482 tot H01L 23/498 hebben voorrang) [2,5]

H 01 L 23/52 . Voorzieningen voor het geleiden van elektrische stroom in de werkende inrichting van de ene component naar een andere [2]

H 01 L 23/522 . . met uitwendige onderlinge verbindingen die bestaan uit een meerlaagse structuur van geleidingslagen en isolatielagen die onafscheidelijk zijn gevormd op het halfgeleiderlichaam [5]

H 01 L 23/525 . . . met aanpasbare onderlinge verbindingen [5]

H 01 L 23/528 . . . Layout van de onderlinge verbindingsstructuur [5]

H 01 L 23/532 . . . gekenmerkt door de materialen [5]

H 01 L 23/535 . . met inwendige onderlinge verbindingen, bijv. constructies met onderkruisingen [5]

H 01 L 23/538 . . waarbij de onderlinge verbindingsstructuur tussen meerdere halfgeleiderchips wordt gevormd op of in isolerende substraten [5,9]

H 01 L 23/544 . Markeringen die worden aangebracht op halfgeleiderinrichtingen, bijv. registratiemarkeringen of testpatronen [5]

H 01 L 23/552 . Beschermen tegen straling, bijv. licht [5]

H 01 L 23/556 . . tegen alfastralen [5]

H 01 L 23/58 . Niet elders ondergebrachte structurele elektrische voorzieningen voor halfgeleiderinrichtingen [5]

H 01 L 23/60 . . Beschermen tegen elektrostatische ladingen of ontladingen, bijv. Faraday-kooien [5,9]

H 01 L 23/62 . . Beschermen tegen overstroom of overlading, bijv. zekeringen of shunts [5]

H 01 L 23/64 . . Impedantievoorzieningen [5]

H 01 L 23/66 . . . Hoogfrequente aanpassingen [5]

H 01 L 25/00 Stelsels die bestaan uit meerdere afzonderlijke halfgeleiderinrichtingen of andere halfgeleiderapparatuur (inrichtingen die bestaan uit meerdere halfgeleidercomponenten die worden gevormd in of op een gemeenschappelijk substraat H01L 27/00; fotovoltaïsche modules of reeksen van fotovoltaïsche cellen H01L 31/042) [2,5,9,14]

H 01 L 25/03 . waarbij alle inrichtingen van een soort zijn uit dezelfde subgroep van de groepen H01L 27/00 tot H01L 51/00, bijv. stelsels van gelijkrichterdioden [5,8]

H 01 L 25/04 . . waarbij de inrichtingen geen afzonderlijke containers hebben [2]

H 01 L 25/065 . . . waarbij de inrichtingen van een soort zijn uit groep H01L 27/00 [5]

H 01 L 25/07 . . . waarbij de inrichtingen van een soort zijn uit groep H01L 29/00 [5]

H 01 L 25/075 . . . waarbij de inrichtingen van een soort zijn uit groep H01L 33/00 [5]

H 01 L 25/10 . . waarbij de inrichtingen afzonderlijke containers hebben [2]

H 01 L 25/11 . . . waarbij de inrichtingen van een soort zijn uit groep H01L 29/00 [5]

H 01 L 25/13 . . . waarbij de inrichtingen van een soort zijn uit groep H01L 33/00 [5]

H 01 L 25/16 . waarbij de inrichtingen van soorten zijn uit twee of meer verschillende hoofdgroepen van de groepen H01L 27/00 tot H01L 51/00, bijv. vormen van hybride circuits [2,8]

H 01 L 25/18 . waarbij de inrichtingen van soorten zijn uit twee of meer verschillende subgroepen van dezelfde hoofdgroep van de groepen H01L 27/00 tot H01L 51/00 [5,8]

H 01 L 27/00 Inrichtingen die bestaan uit meerdere halfgeleidercomponenten of andere halfgeleidercomponenten die zijn gevormd in of op een gemeenschappelijk substraat (details daarvan H01L 23/00 of H01L 29/00 tot H01L 51/00; stelsels die bestaan uit meerdere afzonderlijke halfgeleiderapparaten H01L 25/00) [2,8,9] 

Aantekeningen

1. In de groepen H01L27/01 tot H01L 27/28 is de prioriteitsregel voor de laatste plaats van kracht, d.w.z. op elk hiërarchisch niveau wordt geklasseerd in de laatst toepasselijke plaats, tenzij anders staat vermeld. [2,8,15,17]

2. Bij het klasseren in deze groep worden onderwerpen met betrekking tot elektrisch programmeerbare dode geheugens (EPROM) geklasseerd in de groep H01L 27/115, ongeacht de prioriteitsregel voor de laatste plaats [17]

H 01 L 27/01 . met alleen passieve elementen in de vorm van een dunne of dikke film die zijn gevormd op een gemeenschappelijk isolatiesubstraat [3]

H 01 L 27/02 . met speciaal aangepaste halfgeleidercomponenten voor het gelijkrichten, oscilleren, versterken of schakelen en met tenminste één potentiaalsprongbarrière of oppervlaktebarrière; met geïntegreerde passieve circuitelementen met tenminste één potentiaalsprongbarrière of oppervlaktebarrière [2,8]

H 01 L 27/04 . . waarbij het substraat een halfgeleiderlichaam is [2]

H 01 L 27/06 . . . met meerdere afzonderlijke componenten in een niet-repeterende opstelling [2]

H 01 L 27/07 . . . . waarbij de componenten gezamenlijk een actief gebied hebben [5]

H 01 L 27/08 . . . met alleen halfgeleidercomponenten van één soort [2]

H 01 L 27/082 . . . . met alleen bipolaire componenten [5]

H 01 L 27/085 . . . . met alleen veldcomponenten [5]

H 01 L 27/088 . . . . . waarbij de componenten veldtransistors zijn met een geïsoleerde poort [5]

H 01 L 27/092 . . . . . . complementaire MIS veldtransistors [5]

H 01 L 27/095 . . . . . waarbij de componenten veldtransistors zijn met een Schottky-afsluitpoort [5]

H 01 L 27/098 . . . . . waarbij de componenten veldtransistors zijn met een PN-junctiepoort [5]

H 01 L 27/10 . . . met meerdere afzonderlijke componenten in een repeterende opstelling [2]

H 01 L 27/102 . . . . met bipolaire componenten [5]

H 01 L 27/105 . . . . met veldcomponenten [5]

H 01 L 27/108 . . . . . Dynamische direct toegankelijke geheugenstructuren (DRAM) [5]

H 01 L 27/11 . . . . . Statische direct toegankelijke geheugenstructuren (SRAM) [5]

H 01 L 27/112 . . . . . Dode geheugenstructuren (ROM) [5]

H 01 L 27/115 . . . . . . Elektrisch programmeerbare dode geheugens (EPROM); Meertrapsproductieprocessen daarvoor [5,17]

H 01 L 27/11502 . . . . . . . met ferro-elektrische geheugencondensatoren [17]

H 01 L 27/11504 . . . . . . . . gekenmerkt door de layout van het bovenaanzicht [17]

H 01 L 27/11507 . . . . . . . . gekenmerkt door het geheugenkerngebied [17]

H 01 L 27/11509 . . . . . . . . gekenmerkt door het perifere schakelgebied [17]

H 01 L 27/11512 . . . . . . . . gekenmerkt door het grensgebied tussen de kern en de perifere schakelgebieden [17]

H 01 L 27/11514 . . . . . . . . gekenmerkt door de driedimensionale rangschikkingen, bijv. met cellen op verschillende hoogteniveau’s [17]

H 01 L 27/11517 . . . . . . . met zwevende poorten [17]

H 01 L 27/11519 . . . . . . . . gekenmerkt door de layout van het bovenaanzicht [17]

H 01 L 27/11521 . . . . . . . . gekenmerkt door het geheugenkerngebied [17]

H 01 L 27/11524 . . . . . . . . . met celselectietransistoren, bijv. NAND [17]

H 01 L 27/11526 . . . . . . . . gekenmerkt door het perifere schakelgebied [17]

H 01 L 27/11529 . . . . . . . . . van geheugengebieden die celselectietransistoren, bijv. NAND, bevatten [17]

H 01 L 27/11531 . . . . . . . . . Gelijktijdig produceren van periferie en geheugencellen [17]

H 01 L 27/11534 . . . . . . . . . . met slechts één type perifere transistor [17]

H 01 L 27/11536 . . . . . . . . . . . met een stuurpoortlaag die tevens wordt gebruikt als deel van de perifere transistor [17]

H 01 L 27/11539 . . . . . . . . . . . met een diëlektrische tussenpoortlaag die tevens wordt gebruikt als deel van de perifere transistor [17]

H 01 L 27/11541 . . . . . . . . . . . met een zwevendepoortlaag die tevens wordt gebruikt als deel van de perifere transistor [17]

H 01 L 27/11543 . . . . . . . . . . . met een diëlektrische tunnellaag die tevens wordt gebruikt als deel van de perifere transistor [17]

H 01 L 27/11546 . . . . . . . . . . met verschillende soorten perifere transistoren [17]

H 01 L 27/11548 . . . . . . . . gekenmerkt door het grensgebied tussen de kern en de perifere schakelgebieden [17]

H 01 L 27/11551 . . . . . . . . gekenmerkt door de driedimensionale rangschikkingen, bijv. met cellen op verschillende hoogteniveau’s [17]

H 01 L 27/11553 . . . . . . . . . met bron en afvoer op verschillende niveau’s, bijv. met aflopende kanalen [17]

H 01 L 27/11556 . . . . . . . . . . waarbij de kanalen vertikale delen hebben, bijv. U-vormige kanalen [17]

H 01 L 27/11558 . . . . . . . . waarbij de stuurpoort een gedoteerd gebied is, bijv. single-poly geheugencellen [17]

H 01 L 27/1156 . . . . . . . . waarbij de zwevende poort een elektrode is die wordt gedeeld door twee of meer componenten [17]

H 01 L 27/11563 . . . . . . . met lading-vervangende poortisolatoren, bijv. MNOS of NROM [17]

H 01 L 27/11565 . . . . . . . . gekenmerkt door de layout van het bovenaanzicht [17]

H 01 L 27/11568 . . . . . . . . gekenmerkt door het geheugenkerngebied (driedimensionale rangschikkingen H01L 27/11578) [17]

H 01 L 27/1157 . . . . . . . . . met celselectietransistoren, bijv. NAND [17]

H 01 L 27/11573 . . . . . . . . gekenmerkt door het perifere schakelgebied [17]

H 01 L 27/11575 . . . . . . . . gekenmerkt door het grensgebied tussen de kern en de perifere schakelgebieden [17]

H 01 L 27/11578 . . . . . . . . gekenmerkt door de driedimensionale rangschikkingen, bijv. met cellen op verschillende hoogteniveau’s [17]

H 01 L 27/1158 . . . . . . . . . met bron en afvoer op verschillende niveau’s, bijv. met aflopende kanalen [17]

H 01 L 27/11582 . . . . . . . . . . waarbij de kanalen vertikale delen hebben, bijv. U-vormige kanalen [17]

H 01 L 27/11585 . . . . . . . waarbij de poortelektroden een laag bevatten die wordt gebruikt om zijn ferro-elektrische geheugeneigenschappen, bijv. metaal-ferroelektrisch-halfgeleider (MFS) of metaal-ferroelektrisch-metaal-isolator-halfgeleider (MFMIS) [17]

H 01 L 27/11587 . . . . . . . . gekenmerkt door de layout van het bovenaanzicht [17]

H 01 L 27/1159 . . . . . . . . gekenmerkt door het geheugenkerngebied [17]

H 01 L 27/11592 . . . . . . . . gekenmerkt door het perifere schakelgebied [17]

H 01 L 27/11595 . . . . . . . . gekenmerkt door het grensgebied tussen de kern en de perifere schakelgebieden [17]

H 01 L 27/11597 . . . . . . . . gekenmerkt door de driedimensionale rangschikkingen, bijv. met cellen op verschillende hoogteniveau’s [17]

H 01 L 27/118 . . . . Masterslice geïntegreerde circuits [5]

H 01 L 27/12 . . waarbij het substraat iets anders is als een halfgeleiderlichaam, bijv. een isolatielichaam [2]

H 01 L 27/13 . . . gecombineerd met passieve componenten in de vorm van een dunne of dikke film [3]

H 01 L 27/14 . met halfgeleidercomponenten die gevoelig zijn voor infraroodstraling, licht, elektromagnetische straling met een kortere golflengte of lichaamsstraling, en speciaal aangepast voor het omzetten van de energie van dergelijke straling in elektrische energie of voor het regelen van elektrische energie door dergelijke straling (stralingsgevoelige componenten die structureel samenhangen met alleen één of meer elektrische lichtbronnen H01L 31/14; koppelingen van lichtgeleiders met opto-elektronische elementen G02B 6/42) [2,8]

H 01 L 27/142 . . Inrichtingen voor het omzetten van energie [5]

H 01 L 27/144 . . Inrichtingen die worden geregeld door straling [5]

H 01 L 27/146 . . . Beeldgeverstructuren [5]

H 01 L 27/148 . . . . Door lading gekoppelde beeldgevers [5]

H 01 L 27/15 . met halfgeleidercomponenten met tenminste één potentiaalsprongbarrière of oppervlaktebarrière, die speciaal zijn aangepast voor lichtemissie [2,8]

H 01 L 27/16 . met thermo-elektrische componenten met of zonder een junctie van ongelijksoortige materialen; met thermomagnetische componenten (alleen gebruikmakend van het Peltier-effect voor het koelen van halfgeleiderinrichtingen of andere halfgeleiderapparatuur H01L 23/38) [2]

H 01 L 27/18 . met componenten die supergeleiding vertonen [2]

H 01 L 27/20 . met piëzo-elektrische componenten; met elektrostrictieve componenten; met magnetostrictieve componenten [2,7]

H 01 L 27/22 . met componenten waarbij gebruik wordt gemaakt van galvano-magnetische effecten, bijv. het Hall-effect; gebruikmakend van soortgelijke magnetische veldeffecten [2]

H 01 L 27/24 . met halfgeleidercomponenten voor het gelijkrichten, versterken of schakelen zonder een potentiaalsprongbarrière of oppervlaktebarrière [2]

H 01 L 27/26 . met componenten met negatieve massaweerstand [2]

H 01 L 27/28 . met componenten waarbij gebruik wordt gemaakt van organische materialen als het actieve gedeelte, of van een combinatie van organische materialen met andere materialen als het actieve gedeelte [8]

H 01 L 27/30 . . met speciaal aangepaste componenten voor het aftasten van infraroodstraling, elektromagnetische straling van kortere golflengte of lichaamsstraling; met speciaal aangepaste componenten voor ofwel het omzetten van de energie van dergelijke straling in elektrische energie ofwel het regelen van elektrische energie bij dergelijke straling [8]

H 01 L 27/32 . . met speciaal aangepaste componenten voor lichtuitstraling, bijv. platte schermen die gebruik maken van licht-uitstralende diodes [8]

H 01 L 29/00 Speciaal aangepaste halfgeleiderinrichtingen voor het gelijkrichten, versterken, oscilleren of schakelen, en met tenminste één potentiaalsprongbarrière of oppervlaktebarrière; Condensatoren of weerstanden met tenminste één potentiaalsprongbarrière of oppervlaktebarrière, bijv. een PN-junctie met verarmde laag of laag met een dragerconcentratie; Details van halfgeleiderlichamen of van elektroden daarvan (H01L 31/00 tot H01L 47/00 en H01L 51/05 hebben voorrang; andere details dan van halfgeleiderlichamen of van elektroden daarvan H01L 23/00; inrichtingen die bestaan uit meerdere halfgeleidercomponenten die worden gevormd in of op een gemeenschappelijk substraat H01L 27/00) [2,6,8,9]

Aantekening

In deze hoofdgroep wordt geklasseerd in elk van de groepen H01L 29/02, H01L 29/40 en H01L 29/66 als al deze groepen relevant zijn. [2,8]

H 01 L 29/02 . Halfgeleiderlichamen [2]

H 01 L 29/04 . . gekenmerkt door hun kristallijne structuur, bijv. polykristallijn, kubusvormig of met specifiek georiënteerde kristallijne vlakken (gekenmerkt door fysische gebreken H01L 29/30) [2,9]

H 01 L 29/06 . . gekenmerkt door hun vorm; gekenmerkt door de vormen, relatieve afmetingen of plaatsingen van de halfgeleidergebieden [2]

H 01 L 29/08 . . . waarbij halfgeleidergebieden zijn verbonden met een elektrode die stroom draagt die moet worden gelijkgericht, versterkt of geschakeld, en waarbij zo'n elektrode deel uitmaakt van een halfgeleiderinrichting die drie of meer elektroden bevat [2]

H 01 L 29/10 . . . waarbij halfgeleidergebieden verbonden zijn met een elektrode die geen stroom draagt die moet worden gelijkgericht, versterkt of geschakeld, en waarbij zo'n elektrode deel uitmaakt van een halfgeleiderinrichting die drie of meer elektroden bevat [2]

H 01 L 29/12 . . gekenmerkt door de materialen waarvan zij zijn gevormd [2]

H 01 L 29/15 . . . Structuren met een periodieke of quasi-periodieke potentiaalvariatie, bijv. bronnen voor meerdere quanta of gestapelde roosters (dergelijke structuren toegepast voor het regelen van licht G02F 1/017; toegepast in halfgeleiderlasers H01S 5/34) [6,17]

Aantekening

Groep H01L 29/15 heeft voorrang boven de groepen H01L 29/16 tot H01L 29/26. [6]

H 01 L 29/16 . . . met, naast doping materialen of andere verontreinigingen, alleen elementen van de vierde groep van het Periodiek Systeem in een niet-chemisch gebonden vorm [2]

H 01 L 29/161 . . . . met twee of meer elementen uit groep H01L 29/16 [2]

H 01 L 29/165 . . . . . in verschillende halfgeleidergebieden [2]

H 01 L 29/167 . . . . verder gekenmerkt door het doping materiaal [2]

H 01 L 29/18 . . . met alleen seleen of telluur, naast doping materialen of andere verontreinigingen [2]

H 01 L 29/20 . . . met, naast doping materialen of andere verontreinigingen, alleen A_IIIB_V verbindingen [2,6]

H 01 L 29/201 . . . . met twee of meer verbindingen [2]

H 01 L 29/205 . . . . . in verschillende halfgeleidergebieden [2]

H 01 L 29/207 . . . . verder gekenmerkt door het doping materiaal [2]

H 01 L 29/22 . . . met, naast doping materialen of andere verontreiniging, alleen A_IIB_VI verbindingen [2]

H 01 L 29/221 . . . . met twee of meer verbindingen [2]

H 01 L 29/225 . . . . . in verschillende halfgeleidergebieden [2]

H 01 L 29/227 . . . . verder gekenmerkt door het doping materiaal [2]

H 01 L 29/24 . . . met, naast doping materialen of andere verontreinigingen, alleen anorganische halfgeleidermaterialen die niet vallen onder de groepen H01L 29/16, H01L 29/18, H01L 29/20 of H01L 29/22 [2,9]

H 01 L 29/26 . . . met, naast doping materialen of andere verontreinigingen, elementen die vallen onder twee of meer van de groepen H01L 29/16, H01L 29/18, H01L 29/20, H01L 29/22 of H01L 29/24 [2]

H 01 L 29/267 . . . . in verschillende halfgeleidergebieden [2]

H 01 L 29/30 . . gekenmerkt door fysische gebreken; met een gepolijst of geruwd oppervlak [2]

H 01 L 29/32 . . . waarbij de gebreken in het halfgeleiderlichaam zitten [2]

H 01 L 29/34 . . . waarbij de gebreken aan het oppervlak zitten [2]

H 01 L 29/36 . . gekenmerkt door de concentratie of spreiding van de verontreinigingen [2]

H 01 L 29/38 . . gekenmerkt door een combinatie van kenmerken die vallen onder twee of meer van de groepen H01L 29/04, H01L 29/06, H01L 29/12, H01L 29/30 of H01L 29/36 [2]

H 01 L 29/40 . Elektroden [2]

H 01 L 29/41 . . gekenmerkt door hun vorm, relatieve afmetingen of plaatsingen [6]

H 01 L 29/417 . . . voor het dragen van de stroom die moet worden gelijkgericht, versterkt of geschakeld [6]

H 01 L 29/423 . . . niet voor het dragen van de stroom die moet worden gelijkgericht, versterkt of geschakeld [6]

H 01 L 29/43 . . gekenmerkt door de materialen waaruit zij zijn gevormd [6]

H 01 L 29/45 . . . Ohmse elektroden [6]

H 01 L 29/47 . . . Schottky-barrière-elektroden [6]

H 01 L 29/49 . . . Halfgeleiderelektroden met metaalisolator [6]

H 01 L 29/51 . . . . Daarmee verbonden isolatiematerialen [6]

H 01 L 29/66 . Soorten halfgeleiderinrichtingen [2]

H 01 L 29/68 . . regelbaar door alleen de toegevoerde elektrische stroom, of alleen het aangebrachte elektrische potentiaal, aan een elektrode die geen stroom draagt die moet worden gelijkgericht, versterkt of geschakeld (H01L 29/96 heeft voorrang) [2]

H 01 L 29/70 . . . Bipolaire inrichtingen [2]

H 01 L 29/72 . . . . Transistorinrichtingen, d.w.z. in staat tot een continue reactie op toegepaste regelsignalen [2]

H 01 L 29/73 . . . . . Bipolaire junctietransistors [5]

H 01 L 29/732 . . . . . . Verticale transistors [6]

H 01 L 29/735 . . . . . . Dwarse transistors [6]

H 01 L 29/737 . . . . . . Heterojunctietransistors (onregelmatig vertakt) [6]

H 01 L 29/739 . . . . . geregeld door een veldeffect [6]

H 01 L 29/74 . . . . Thyristorinrichtingen, bijv. met een regeneratorwerking in vier zones [2]

H 01 L 29/744 . . . . . Inrichtingen met poortuitschakeling [6]

H 01 L 29/745 . . . . . . met uitschakeling door een veldeffect [6]

H 01 L 29/747 . . . . . Tweeweginrichtingen, bijv. triacs [2]

H 01 L 29/749 . . . . . met uitschakeling door een veldeffect [6]

H 01 L 29/76 . . . Unipolaire inrichtingen [2]

H 01 L 29/762 . . . . Inrichtingen voor het overdragen van lading [6]

H 01 L 29/765 . . . . . Lading-gekoppelde inrichtingen [6]

H 01 L 29/768 . . . . . . waarbij een veldeffect wordt geproduceerd door een geïsoleerde poort [6]

H 01 L 29/772 . . . . Veldtransistors [6]

H 01 L 29/775 . . . . . met een ééndimensionaal kanaal voor een gas dat lading draagt, bijv. een FET met kwantumdraad [6]

H 01 L 29/778 . . . . . met een tweedimensionaal kanaal voor een gas dat lading draagt, bijv. een HEMT [6]

H 01 L 29/78 . . . . . waarbij een veldeffect wordt geproduceerd door een geïsoleerde poort [2]

H 01 L 29/786 . . . . . . Transistors in de vorm van een dunne film [6]

H 01 L 29/788 . . . . . . met een zwevende poort [5]

H 01 L 29/792 . . . . . . met een poortvormige scheidingsschakelaar die de lading afvangt, bijv. een MNOS-geheugentransistor [5]

H 01 L 29/80 . . . . . waarbij een veldeffect wordt geproduceerd door een PN-juntiepoort of een andere gelijkrichtende junctiepoort [2]

H 01 L 29/808 . . . . . . met een PN-junctiepoort [5]

H 01 L 29/812 . . . . . . met een Schottky-poort [5]

H 01 L 29/82 . . regelbaar door het variëren van het magnetische veld dat wordt aangebracht op de inrichting (H01L 29/96 heeft voorrang) [2,6]

H 01 L 29/84 . . regelbaar door het variëren van de uitgeoefende mechanische kracht, bijv. druk (H01L 29/96 heeft voorrang) [2,6]

H 01 L 29/86 . . regelbaar door alleen het variëren van de toegevoerde elektrische stroom, of alleen het aangebrachte elektrische potentiaal, aan één of meer van de elektroden die de stroom dragen die moet worden gelijkgericht, versterkt, geoscilleerd of geschakeld (H01L 29/96 heeft voorrang) [2]

H 01 L 29/8605 . . . Weerstanden met PN-junctie [6]

H 01 L 29/861 . . . Dioden [6]

H 01 L 29/862 . . . . Puntcontactdioden [6]

H 01 L 29/864 . . . . Looptijddioden, bijv. een IMPATT-diode of TRAPATT-diode [6]

H 01 L 29/866 . . . . Zenerdioden [6]

H 01 L 29/868 . . . . PIN-dioden [6]

H 01 L 29/87 . . . . Thyristor-dioden, bijv. een Shockley-diode of break-over diode [6]

H 01 L 29/872 . . . . Schottky-dioden [6]

H 01 L 29/88 . . . . Tunneldioden [2]

H 01 L 29/885 . . . . . Esaki-dioden [6]

H 01 L 29/92 . . . Condensatoren met een potentiaalsprongbarrière of een oppervlaktebarrière [2]

H 01 L 29/93 . . . . Dioden met variabele capaciteit, bijv. varactors [2]

H 01 L 29/94 . . . . Halfgeleiders met metalen isolator, bijv. een MOS [2]

H 01 L 29/96 . . van een soort die valt onder meer dan één van de groepen H01L 29/68, H01L 29/82, H01L 29/84 of H01L 29/86 [2]

H 01 L 31/00 Halfgeleiderinrichtingen die gevoelig zijn voor infraroodstraling, licht, elektromagnetische straling van een kortere golflengte of lichaamsstraling, en die speciaal zijn aangepast voor ofwel het omzetten van de energie van dergelijke straling in elektrische energie ofwel het regelen van elektrische energie door dergelijke straling; Speciaal aangepaste processen of apparatuur voor het maken of behandelen daarvan of van delen daarvan; Details daarvan (H01L 51/42 heeft voorrang; inrichtingen die bestaan uit meerdere halfgeleidercomponenten die worden gevormd in of op een gemeenschappelijk substraat, anders dan combinaties van stralingsgevoelige componenten met één of meer elektrische lichtbronnen, H01L 27/00) [2,6,8,9]

H 01 L 31/02 . Details [2]

H 01 L 31/0203 . . Containers; Inkapselingen (voor fotovoltaïsche inrichtingen H01L 31/048; voor organische foto-gevoelige inrichtingen H01L 51/44) [5,14]

H 01 L 31/0216 . . Coatings (H01L 31/041 heeft voorrang) [5,14]

H 01 L 31/0224 . . Elektroden [5]

H 01 L 31/0232 . . Optische elementen of voorzieningen die samenhangen met de inrichting (H01L 31/0236 heeft voorrang; voor fotovoltaïsche cellen H01L 31/054; voor fotovoltaïsche modules H02S 40/20) [5,14]

H 01 L 31/0236 . . Speciale oppervlaktestructuren [5]

H 01 L 31/024 . . Voorzieningen voor koeling, verwarming, ventilatie of temperatuurcompensatie (voor fotovoltaïsche inrichtingen H01L 31/052) [5,14]

H 01 L 31/0248 . gekenmerkt door hun halfgeleiderlichamen [5]

H 01 L 31/0256 . . gekenmerkt door het materiaal [5]

H 01 L 31/0264 . . . Anorganische materialen [5]

H 01 L 31/0272 . . . . Seleen of telluur [5]

H 01 L 31/028 . . . . met, naast doping materialen of verontreinigingen, alleen elementen van de vierde groep van het Periodiek Systeem [5]

H 01 L 31/0288 . . . . . gekenmerkt door het doping materiaal [5]

H 01 L 31/0296 . . . . met, naast doping materialen of verontreinigingen, alleen A_IIB_VI verbindingen, bijv. CdS, ZnS, HgCdTe [5]

H 01 L 31/0304 . . . . met, naast doping materialen of verontreinigingen, alleen A_IIIB_V verbindingen [5]

H 01 L 31/0312 . . . . met, naast doping materialen of verontreinigingen, alleen A_IVB_IV verbindingen, bijv. SiC [5]

H 01 L 31/032 . . . . met, naast doping materialen of verontreinigingen, alleen verbindingen die niet vallen onder de groepen H01L 31/0272 tot H01L 31/0312 [5]

H 01 L 31/0328 . . . . met, naast doping materialen of verontreinigingen, halfgeleidermaterialen die vallen onder twee of meer van de groepen H01L 31/0272 tot H01L 31/032 [5]

H 01 L 31/0336 . . . . . in verschillende halfgeleidergebieden, bijv. Cu₂X/CdX heterojuncties, waarbij X een element is van de zesde groep van het Periodiek Systeem [5]

H 01 L 31/0352 . . gekenmerkt door hun vorm of door de vormen, relatieve afmetingen of plaatsingen van de halfgeleidergebieden [5]

H 01 L 31/036 . . gekenmerkt door hun kristallijne structuur of specifieke oriëntatie van de kristallijne vlakken [5]

H 01 L 31/0368 . . . met polykristallijne halfgeleiders (H01L 31/0392 heeft voorrang) [5]

H 01 L 31/0376 . . . met amorfe halfgeleiders (H01L 31/0392 heeft voorrang) [5]

H 01 L 31/0384 . . . met andere niet mono-kristallijne materialen, bijv. halfgeleiderdeeltjes die zijn ingebed in een isolatiemateriaal (H01L 31/0392 heeft voorrang) [5]

H 01 L 31/0392 . . . met dunne films die zijn afgezet op metaalachtige substraten of isolatiesubstraten [5]

H 01 L 31/04 . aangepast als fotovoltaïsche [PV] omzettingsinrichtingen, bijv. PV modules of losse PV cellen (testen daarvan tijdens de productie H01L 21/66; testen daarvan na de productie H02S 50/10) [2,14]

H 01 L 31/041 . . Voorzieningen ter voorkoming van schade veroorzaakt door lichaamsstraling, bijv. voor toepassingen in de ruimte [14]

H 01 L 31/042 . . PV modules of losse PV cellen (meerdere dunnefilm-zonnecellen op een gemeenschappelijk substraat H01L 27/142; draagstructuren voor PV modules H02S 20/00) [5,14]

H 01 L 31/043 . . . Mechanisch gestapelde PV cellen [14]

H 01 L 31/048 . . . Inkapseling van modules [5,14]

H 01 L 31/049 . . . . Beschermende ruglagen [14]

H 01 L 31/05 . . . Onderlinge elektrische verbindingsmiddelen tussen PV cellen binnen de PV module, bijv. een seriële verbindingen van PV cellen (elektroden H01L 31/0224; onderlinge elektrische verbinding van dunnefilm-zonnecellen die zijn gevormd op een gemeenschappelijk substraat H01L 27/142; onderlinge elektrische verbindingsmiddelen speciaal aangepast voor het elektrisch verbinden van twee of meer PV modules H02S 40/36) [5,14]

H 01 L 31/052 . . Koelmiddelen die direct samenhangen met of zijn geïntegreerd in de PV cel, bijv. geïntegreerde Peltier-elementen voor het actief koelen van koellichamen die direct samenhangen met de PV cellen (koelmiddelen in combinatie met de PV module H02S 40/42) [5,14]

H 01 L 31/0525 . . . . waarbij sprake is van middelen voor het gebruiken van warmte-energie die direct samenhangen met de PV cel, bijv. geïntegreerde Seebeck-elementen [14]

H 01 L 31/053 . . Energieopslagmiddelen die direct samenhangen met of zijn geïntegreerd in de PV cel, bijv. een condensator geïntegreerd in een PV cel (energieopslagmiddelen die samenhangen met de PV module H02S 40/38) [14]

H 01 L 31/054 . . Optische elementen die direct samenhangen met of zijn geïntegreerd in de PV cel, bijv. licht-reflectiemiddelen of licht-concentratiemiddelen [14]

H 01 L 31/055 . . . waarbij licht wordt geabsorbeerd en weer terug gestraald met een andere golflengte door het optische element dat direct samenhangt met of is geïntegreerd in de PV cel, bijv. door gebruik te maken van luminescent materiaal, fluorescente concentrators of up-conversion voorzieningen [5,14]

H 01 L 31/056 . . . waarbij de licht-reflecterende middelen van het soort met een reflecterende ruglaag [BSR] zijn [14]

H 01 L 31/06 . . gekenmerkt door tenminste één potentiaalsprongbarrière of oppervlaktebarrière [2]

H 01 L 31/061 . . . waarbij de potentiaalbarrières de vorm hebben van een puntcontact (H01L 31/07 heeft voorrang) [12]

H 01 L 31/062 . . . waarbij de potentiaalbarrières alleen de vorm hebben van een halfgeleider met metaalisolator [5]

H 01 L 31/065 . . . waarbij de potentiaalbarrières alleen de vorm hebben van een gelaagde spleet [5]

H 01 L 31/068 . . . waarbij de potentiaalbarrières alleen de vorm hebben van een PN-homojunctie, bijv. bulk PN-homojunctie siliciumzonnecellen of dunnefilm-polykristallijne PN-homojunctie siliciumzonnecellen [5,12]

H 01 L 31/0687 . . . . Zonnecellen met meerdere knooppunten of tandemzonnecellen [12]

H 01 L 31/0693 . . . . waarbij de inrichtingen, naast verontreinigingsmateriaal of onzuiverheden, alleen A_IIIB_V- verbindingen bevatten, bijv. GaAs-zonnecellen of InP-zonnecellen [12]

H 01 L 31/07 . . . waarbij de potentiaalbarrières alleen de vorm hebben van een Schottky-potentiaalbarrière [5]

H 01 L 31/072 . . . waarbij de potentiaalbarrières alleen de vorm hebben van een PN-heterojunctie [5]

H 01 L 31/0725 . . . . Zonnecellen met meerdere knooppunten of tandemzonnecellen [12]

H 01 L 31/073 . . . . met alleen halfgeleiders met A_IIB_VI-verbindingen, bijv. CdS/CdTe-zonnecellen [12]

H 01 L 31/0735 . . . . met alleen halfgeleiders met A_IIIB_V-verbindingen, bijv. GaAs/AlGaAs-zonnecellen of InP/GaInAs-zonnecellen [12]

H 01 L 31/074 . . . . met een heterojunctie met een element uit de 4^e Groep van het Periodiek Systeem, bijv. ITO/Si-zonnecellen, GaAs/Si-zonnecellen of CdTe/Si-zonnecellen [12]

H 01 L 31/0745 . . . . met een A_IVB_IV-heterojunctie, bijv. Si/Ge-zonnecellen, SiGe/Si-zonnecellen of Si/SiC-zonnecellen [12]

H 01 L 31/0747 . . . . met een heterojunctie van kristallijne en amorfe materialen, bijv. een heterojunctie met een intrinsieke dunne laag of HIT^®-zonnecellen [12]

H 01 L 31/0749 . . . . met een A_IB_IIIC_VI-verbinding, bijv. zonnecellen met een CdS/CuInSe2 [CIS] -heterojunctie [12]

H 01 L 31/075 . . . waarbij de potentiaalbarrières alleen de vorm hebben van een PIN-potentiaalbarrière, bijv. amorfe PIN siliciumzonnecellen [5,12]

H 01 L 31/076 . . . . Zonnecellen met meerdere knooppunten of tandemzonnecellen [12]

H 01 L 31/077 . . . . waarbij de inrichtingen mono-kristallijne of polykristallijne materialen bevatten [12]

H 01 L 31/078 . . . met verschillende soorten potentiaalbarrières die vallen onder twee of meer van de groepen H01L 31/061 tot H01L 31/075 [5,12]

H 01 L 31/08 . waarin straling de stroomafgifte door de inrichting regelt, bijv. fotoweerstanden [2]

H 01 L 31/09 . . Inrichtingen die gevoelig zijn voor infraroodstraling, zichtbare straling of ultravioletstraling (H01L 31/101 heeft voorrang) [5]

H 01 L 31/10 . . gekenmerkt door tenminste één potentiaalsprongbarrière of oppervlaktebarrière, bijv. fototransistors [2]

H 01 L 31/101 . . . Inrichtingen die gevoelig zijn voor infraroodstraling, zichtbare straling of ultravioletstraling [5]

H 01 L 31/102 . . . . gekenmerkt door slechts één potentiaalbarrière of oppervlaktebarrière [5]

H 01 L 31/103 . . . . . waarbij de potentiaalbarrière de vorm heeft van een PN-homojunctie [5]

H 01 L 31/105 . . . . . waarbij de potentiaalbarrière een PIN-potentiaalbarrière is [5]

H 01 L 31/107 . . . . . waarbij de potentiaalbarrière in een afweermodus werkt, bijv. een fotodiode met lawinewerking [5]

H 01 L 31/108 . . . . . waarbij de potentiaalbarrière de vorm heeft van een Schottky-potentiaalbarrière [5]

H 01 L 31/109 . . . . . waarbij de potentiaalbarrière de vorm heeft van een PN-heterojunctie is [5]

H 01 L 31/11 . . . . gekenmerkt door twee potentiaalbarrières of oppervlaktebarrières, bijv. een bipolaire fototransistor [5]

H 01 L 31/111 . . . . gekenmerkt door tenminste drie potentiaalbarrières, bijv. een foto-thyristor [5]

H 01 L 31/112 . . . . gekenmerkt door een veldwerking, bijv. een veldfototransistor met junctie [5]

H 01 L 31/113 . . . . . in de vorm van een halfgeleider met geïsoleerde geleider, bijv. een veldtransistor in de vorm van een halfgeleider met metaalisolator [5]

H 01 L 31/115 . . . Inrichtingen die gevoelig zijn voor zeer korte golflengten, bijv. röntgenstraling, gammastraling of lichaamsstraling [5]

H 01 L 31/117 . . . . met een stralingsmassa-detector, bijv. een PIN-gammastraaldetector met Ge-Li compensatie[5]

H 01 L 31/118 . . . . met een oppervlaktebarrière of een ondiepe detector met PN-junctie, bijv. een alfadeeltjesdetector met oppervlaktebarrière [5]

H 01 L 31/119 . . . . gekenmerkt door een veldwerking, bijv. MIS-detectoren [5]

H 01 L 31/12 . structureel samenhangend, bijv. gevormd in of op een gemeenschappelijk substraat, met één of meer elektrische lichtbronnen, bijv. elektroluminescente lichtbronnen, en elektrisch of optisch daaraan gekoppeld (elektroluminescente lichtbronnen op zich H05B 33/00) [2,5,8,9]

H 01 L 31/14 . . waarbij de lichtbron wordt of de lichtbronnen worden geregeld door de halfgeleiderinrichting die gevoelig is voor straling, bijv. beeldomvormers, beeldversterkers of beeldopslag-inrichtingen [2]

H 01 L 31/147 . . . waarbij de lichtbronnen en de stralingsgevoelige inrichtingen alle halfgeleiderinrichtingen zijn met tenminste één potentiaalbarrière of oppervlaktebarrière [5]

H 01 L 31/153 . . . . gevormd in of op een gemeenschappelijk substraat [5]

H 01 L 31/16 . . waarbij de stralingsgevoelige halfgeleiderinrichting wordt geregeld door de lichtbron of lichtbronnen [2]

H 01 L 31/167 . . . waarbij de lichtbronnen en de stralingsgevoelige inrichtingen alle halfgeleiderinrichtingen zijn met tenminste één potentiaalbarrière of oppervlaktebarrière [5]

H 01 L 31/173 . . . . gevormd in of op een gemeenschappelijk substraat [5]

H 01 L 31/18 . Speciaal aangepaste processen of apparatuur voor het maken of behandelen van deze inrichtingen of van delen daarvan [2,8,9]

H 01 L 31/20 . . waarbij dergelijke inrichtingen of delen daarvan amorf halfgeleidermateriaal bevatten [5]

H 01 L 33/00 Halfgeleiderinrichtingen met tenminste één potentiaalsprongbarrière of oppervlaktebarrière die speciaal is aangepast voor lichtuitstraling; Speciaal aangepaste processen of apparatuur voor het maken of behandelen daarvan of van delen daarvan; Details daarvan (H01L 51/50 heeft voorrang; inrichtingen bestaande uit meerdere halfgeleidercomponenten die zijn gevormd in of op een gezamenlijk substraat en met inbegrip van halfgeleidercomponenten met tenminste één potentiaalsprongbarrière of oppervlaktebarrière, die speciaal zijn aangepast voor lichtemissie H01L 27/15; halfgeleiderlasers H01S 5/00) [2,7,8,9,10]

Aantekeningen

(1) Deze groep dekt licht-uitstralende diodes (LED’s) of super-lichtgevende diodes (SLD’s) met inbegrip van LED’s of SLD’s die infrarood (IR) of ultraviolet (UV) licht uitstralen. [10]

(2) In deze groep is de prioriteitsregel voor de eerste plaats van kracht, d.w.z. op elk hiërarchisch niveau wordt geklasseerd in de eerst toepasselijke plaats, tenzij anders staat vermeld. [10,15]

H 01 L 33/02 . gekenmerkt door het halfgeleiderlichaam [10]

H 01 L 33/04 . . met een kwantumeffect-structuur of super-rooster, bijv. een tunnelovergang [10]

H 01 L 33/06 . .   . binnen het licht-uitstralende gedeelte, bijv. een quantum opsluittingsstructuur of een tunnelbarrière [10]

H 01 L 33/08 . . met meerdere licht-uitstralende gedeelten, bijv. een in laterale richting discontinu licht-uitstralende laag of een foto-luminescent gedeelte geïntegreerd in het halfgeleiderlichaam (H01L 27/15 heeft voorrang) [10]

H 01 L 33/10 . . met een licht-reflecterende structuur, bijv. een Bragg- halfgeleiderreflector [10]

H 01 L 33/12 . met een spanningsverlagende structuur, bijv. een bufferlaag [10]

H 01 L 33/14 . . met een structuur voor het regelen van het ladingstransport, bijv. een sterk-gedoteerde halfgeleiderlaag of een stroom-blokkerende structuur [10]

H 01 L 33/16 . . met een bijzondere kristalstructuur of kristaloriëntatie, bijv. polykristallijn, amorf of poreus [10]

H 01 L 33/18 . .   . binnen het licht-uitstralende gedeelte [10]

Aantekening

Bij het klasseren in deze groep wordt tevens geklasseerd in de groep H01L 33/26 of één van de ondergroepen daarvan, teneinde de chemische samenstelling van het licht-uitstralende gebied te identificeren. [10]

H 01 L 33/20 . . met een bijzondere vorm, bijv. een gekromd of een afgeknot substraat [10]

H 01 L 33/22 . . . Geruwde oppervlakken, bijv. op het raakvlak tussen epitaxtiale lagen [10]

H 01 L 33/24 . . . van het licht-uitstralende gedeelte, bijv. een niet-vlakke overgang [10]

H 01 L 33/26 . . Materialen van het licht-uitstralende gedeelte [10]

H 01 L 33/28 . . . met alleen elementen uit Groep 1 en Groep 4 van het Periodiek Systeem [10]

H 01 L 33/30 . . . met alleen elementen uit Groep 3 en Groep 5 van het Periodiek Systeem [10]

H 01 L 33/32 . . . . met stikstof [10]

H 01 L 33/34 . . . met alleen elementen uit Groep 6 van het Periodiek Systeem [10]

H 01 L 33/36 . gekenmerkt door de elektroden [10]

H 01 L 33/38 . . met een bijzondere vorm [10]

H 01 L 33/40 . . Materialen daarvoor [10]

H 01 L 33/42 . . . Transparante materialen [10]

H 01 L 33/44 . gekenmerkt door de coatings, bijv. een passiveringslaag of anti-reflectiecoating [10]

H 01 L 33/46 . . Reflecterende coating, bijv. een Bragg diëlektrische reflector [10]

H 01 L 33/48 . gekenmerkt door de halfgeleiderlichaam-componenten [10]

Aantekening

Deze groep dekt elementen die in direct contact staan met het halfgeleiderlichaam of die zijn geïntegreerd in de componenten. [10]

H 01 L 33/50 . . Golflengte-omzettingselementen [10]

H 01 L 33/52 . . Mantels [10]

H 01 L 33/54 . . . met een bijzondere vorm [10]

H 01 L 33/56 . . . Materialen, bijv. epoxyhars of siliconenhars [10]

H 01 L 33/58 . . Elementen voor het vormgeven van het optische veld [10]

H 01 L 33/60 . . . Reflecterende elementen [10]

H 01 L 33/62 . . Voorzieningen voor het geleiden van elektrische stroom naar of van het halfgeleiderlichaam, bijv. een bedradingsframe, draadverbinding of soldeerkorrel [10]

H 01 L 33/64 . . Warmte-afvoerelementen of koelelementen [10]

H 01 L 35/00 Thermo-elektrische inrichtingen die een junctie bevatten van ongelijksoortige materialen, d.w.z. met een Seebeck-effect of Peltier-effect met of zonder andere thermo-elektrische of thermomagnetische effecten; Speciaal aangepaste processen of apparatuur voor het maken of behandelen daarvan of van delen daarvan; Details daarvan (inrichtingen die bestaan uit meerdere halfgeleidercomponenten die worden gevormd in of op een gemeenschappelijk substraat H01L 27/00) [2,8,9]

H 01 L 35/02 . Details [2]

H 01 L 35/04 . . Structurele details van de junctie; Verbindingen voor leidingen [2]

H 01 L 35/06 . . . afneembaar, bijv. gebruikmakend van een veer [2]

H 01 L 35/08 . . . niet-afneembaar, bijv. gelijmd, gesinterd of gesoldeerd [2]

H 01 L 35/10 . . . Verbindingen voor leidingen [2]

H 01 L 35/12 . Selectie van materiaal voor de benen van de junctie [2]

H 01 L 35/14 . . gebruikmakend van anorganische samenstellingen [2]

H 01 L 35/16 . . . met telluur, seleen of zwavel [2]

H 01 L 35/18 . . . met arseen, antimoon of bismut (H01L 35/16 heeft voorrang) [2]

H 01 L 35/20 . . . met alleen metalen (H01L 35/16 en H01L 35/18 hebben voorrang) [2]

H 01 L 35/22 . . . met verbindingen die boor, koolstof, zuurstof of stikstof bevatten [2]

H 01 L 35/24 . . gebruikmakend van organische samenstellingen [2]

H 01 L 35/26 . . gebruikmakend van samenstellingen die continu of discontinu veranderen in het materiaal [2]

H 01 L 35/28 . werkend met alleen een Peltier-effect of Seebeck-effect [2]

H 01 L 35/30 . . gekenmerkt door de warmte-uitwisselende middelen bij de junctie [2]

H 01 L 35/32 . . gekenmerkt door de structuur of opbouw van de cel of het thermokoppel die de inrichting vormen [2]

H 01 L 35/34 . Speciaal aangepaste processen of apparatuur voor het maken of behandelen van deze inrichtingen of van delen daarvan [2,8,9]

H 01 L 37/00 Thermo-elektrische inrichtingen zonder junctie van ongelijksoortige materialen; Thermomagnetische inrichtingen, bijv. gebruikmakend van het Nernst-Ettinghausen-effect; Speciaal aangepaste processen of apparatuur voor het maken of behandelen daarvan of van delen daarvan (inrichtingen die bestaan uit meerdere halfgeleidercomponenten die worden gevormd in of op een gemeenschappelijk substraat H01L 27/00) [2,8,9]

H 01 L 37/02 . gebruikmakend van thermische verandering van de diëlectrische constante, bijv. bij het werken boven en onder het Curiepunt [2]

H 01 L 37/04 . gebruikmakend van thermische verandering van de magnetische permeabiliteit, bijv. bij het werken boven en onder het Curiepunt [2]

H 01 L 39/00 Inrichtingen waarbij gebruik wordt gemaakt van supergeleiding of hypergeleiding; Speciaal aangepaste processen of apparatuur voor het maken of behandelen daarvan of van delen daarvan (inrichtingen die bestaan uit meerdere halfgeleidercomponenten die worden gevormd in of op een gemeenschappelijk substraat H01L 27/00; supergeleiders die worden gekenmerkt door de keramiek-vormende technieken of de keramische samenstelling C04B 35/00; supergeleidende of hyper-geleidende geleiders, kabels of transmissieleidingen H01B 12/00; supergeleidende spoelen of wikkelingen H01F; versterkers waarbij gebruik wordt gemaakt van supergeleiding H03F 19/00) [2,4,8]

H 01 L 39/02 . Details [2]

H 01 L 39/04 . . Containers; Bevestigingen [2]

H 01 L 39/06 . . gekenmerkt door het stroom-pad [2]

H 01 L 39/08 . . gekenmerkt door de vorm van het element [2]

H 01 L 39/10 . . gekenmerkt door de middelen voor het schakelen [2]

H 01 L 39/12 . . gekenmerkt door het materiaal [2]

H 01 L 39/14 . Permanente supergeleider-inrichtingen [2]

H 01 L 39/16 . Inrichtingen die kunnen worden omgeschakeld tussen een supergeleidende toestand en een normale toestand [2]

H 01 L 39/18 . . Cryotrons [2]

H 01 L 39/20 . . . Vermogens-cryotrons [2]

H 01 L 39/22 . Inrichtingen die een junctie bevatten van ongelijksoortige materialen, bijv. Josephson-inrichtingen [2]

H 01 L 39/24 . Speciaal aangepaste processen of apparatuur voor het maken of behandelen van inrichtingen uit groep H01L 39/00 of van delen daarvan [2,8,9]

H 01 L 41/00 Piëzo-elektrische apparaten in het algemeen; Elektrostrictieve apparaten in het algemeen; Magnetostrictieve apparaten in het algemeen; Speciaal aangepaste processen of apparatuur voor het maken of behandelen daarvan of van delen daarvan; Details daarvan (inrichtingen die bestaan uit meerdere halfgeleidercomponenten die worden gevormd in of op een gemeenschappelijk substraat H01L 27/00) [2,8,13]

Aantekeningen

(1) Deze groep dekt geen aanpassingen voor een specifiek doel, welke vallen onder de relevante plaatsen. [6]

(2) De aandacht wordt gevestigd op de volgende, bedoelde plaatsen: [6]

B06B voor aanpassingen voor het opwekken of overbrengen van mechanische trillingen [6]

G01 voor transducers als tastelementen voor meting [6]

G04C en G04F voor transducers die zijn aangepast voor gebruik in uurwerken [6]

G10K voor aanpassingen voor het opwekken of overbrengen van geluid [6]

H02N voor voorzieningen van elementen in elektrische machines [6]

H03H 9/00 voor netwerken die elektromechanische of elektroakoestische elementen bevatten, bijv. resonantiecircuits [6]

H04R voor luidsprekers, microfoons, platenspelers of soortgelijke transducers. [6]

H 01 L 41/02 . Details [2]

H 01 L 41/04 . . van piëzo-elektrische of elektrostrictieve elementen [2]

H 01 L 41/047 . . . Elektroden [6]

H 01 L 41/053 . . . Bevestigingen, steunen, omhullingen of omhulsels [6]

H 01 L 41/06 . . van magnetostrictieve elementen [2]

H 01 L 41/08 . Piëzo-elektrische of elektrostrictieve elementen [2]

Aantekening

De groepen H01L 41/083 en H01L 41/087 hebben voorrang boven de groepen H01L 41/09 tot H01L 41/113. [6]

H 01 L 41/083 . . met een gestapelde of meerlaagse structuur [6]

H 01 L 41/087 . . gevormd als coaxkabels [6]

H 01 L 41/09 . . met een elektrische invoer en mechanische uitvoer [5]

H 01 L 41/107 . . met een elektrische invoer en elektrische uitvoer [5]

H 01 L 41/113 . . met een mechanische invoer en elektrische uitvoer [5]

H 01 L 41/12 . Magnetostrictieve elementen [2]

H 01 L 41/16 . Materialen [2]

H 01 L 41/18 . . voor piëzo-elektrische of elektrostrictieve elementen [2]

H 01 L 41/187 . . . Keramische samenstellingen [5]

H 01 L 41/193 . . . Macromoleculaire samenstellingen [5]

H 01 L 41/20 . . voor magnetostrictieve elementen [2]

H 01 L 41/22 . Speciaal aangepaste processen of apparatuur voor het samenstellen, maken of behandelen van piëzo-elektrische of elektrostrictieve apparaten of van delen daarvan [2,8,9]

H 01 L 41/23 . . Vormen van behuizingen of omhulsels [13]

H 01 L 41/25 . . Samenstellen van apparaten met piëzo-elektrische of elektrostrictieve delen [13]

H 01 L 41/253 . . Behandelen van apparaten of delen daarvan voor het modificeren van een piëzo-elektrische of elektrostrictieve eigenschap, bijv. polarisatiekenmerken, trillings-kenmerken of modusafstemming [13]

H 01 L 41/257 . . . door polariseren [13]

H 01 L 41/27 . . Maken van meerlaagse piëzo-elektrische of elektrostrictieve apparaten of delen daarvan, bijv. door het stapelen van piëzo-elektrische lichamen en elektroden [13]

H 01 L 41/273 . . . van elementen met een macromoleculaire samenstelling [13]

H 01 L 41/277 . . . van elementen met een macromoleculaire samenstelling [13]

H 01 L 41/29 . . Vormen van elektroden, elektrodedraden of aansluitklemvoorzieningen [13]

Aantekening

De integrale opstelling van afzonderlijke laagelektroden en aansluitelektroden wordt geklasseerd in zowel de groep H01L 41/293 als de groep H01L 41/297. [13]

H 01 L 41/293 . . . Aansluitelektroden van meerlaagse piëzo-elektrische of elektrostrictieve delen [13]

H 01 L 41/297 . . . Afzonderlijke laagelektroden van meerlaagse piëzo-elektrische of elektrostrictieve delen [13]

H 01 L 41/31 . . Aanbrengen van piëzo-elektrische of elektrostrictieve delen of lichamen op een elektrisch element of een andere ondergrond [13]

H 01 L 41/311 . . . Monteren van piëzo-elektrische of elektrostrictieve delen samen met halfgeleiderelementen, of andere circuitelementen, op een gezamenlijk substraat [13]

H 01 L 41/312 . . . door lamineren of binden van piëzo-elektrische of elektrostrictieve lichamen [13]

H 01 L 41/313 . . . . door metaalfusie of met kleefmiddelen [13]

H 01 L 41/314 . . . door afzetten van piëzo-elektrische of elektrostrictieve lagen, bijv. door aërosoldruk of zeefdruk [13]

H 01 L 41/316 . . . . door dampfase-afzetting [13]

H 01 L 41/317 . . . . door vloeistoffase-afzetting [13]

H 01 L 41/318 . . . . . door sol-gelafzetting [13,14]

H 01 L 41/319 . . . . gebruikmakend van tussenlagen, bijv. voor groeicontrole [13]

H 01 L 41/33 . . Vormen of bewerken van piëzo-elektrische of elektrostrictieve lichamen [13]

H 01 L 41/331 . . . door coaten of afzetten gebruikmakend van maskers, bijv. lift-off [13]

H 01 L 41/332 . . . door etsen, bijv. lithografie [13]

H 01 L 41/333 . . . door gieten of extruderen [13]

H 01 L 41/335 . . . door bewerken [13]

H 01 L 41/337 . . . . door polijsten of schuren [13]

H 01 L 41/338 . . . . door snijden of in blokjes snijden [13]

H 01 L 41/339 . . . . door ponsen [13]

H 01 L 41/35 . . Vormen van piëzo-elektrische of elektrostrictieve materialen [13]

H 01 L 41/37 . . . Composietmaterialen [13]

H 01 L 41/39 . . . Anorganische materialen [13]

H 01 L 41/41 . . . . door smelten [13]

H 01 L 41/43 . . . . door sinteren [13]

H 01 L 41/45 . . . Organische materialen [13]

H 01 L 41/47 . Speciaal aangepaste processen of apparatuur voor het samenstellen, maken of behandelen van magnetostrictieve apparaten of van delen daarvan [13]

H 01 L 43/00 Inrichtingen waarbij gebruik wordt gemaakt van galvano-magnetische of soortgelijke magnetische effecten; Speciaal aangepaste processen of apparatuur voor het maken of behandelen daarvan of van delen daarvan (inrichtingen die bestaan uit meerdere halfgeleidercomponenten die worden gevormd in of op een gemeenschappelijk substraat H01L 27/00) [2,8,9]

H 01 L 43/02 . Details [2]

H 01 L 43/04 . . van Hall-inrichtingen [2]

H 01 L 43/06 . Hall-inrichtingen [2]

H 01 L 43/08 . Door een magnetisch veld geregelde weerstanden [2]

H 01 L 43/10 . Selectie van materialen [2]

H 01 L 43/12 . Speciaal aangepaste processen of apparatuur voor het maken of behandelen van deze inrichtingen of van delen daarvan [2,8,9]

H 01 L 43/14 . . voor Hall-inrichtingen [2]

H 01 L 45/00 Speciaal aangepaste halfgeleiderapparatuur voor het gelijkrichten, versterken, oscilleren of schakelen zonder potentiaalsprongbarrière of oppervlaktebarrière, bijv. diëlectrische trioden; Ovshinsky-inrichtingen; Speciaal aangepaste processen of apparatuur voor het maken of behandelen daarvan of van delen daarvan (inrichtingen die bestaan uit meerdere halfgeleidercomponenten die worden gevormd in of op een gemeenschappelijk substraat H01L 27/00; inrichtingen waarbij gebruik wordt gemaakt van supergeleiding of hypergeleiding H01L 39/00; piëzo-elektrische elementen H01L 41/00; inrichtingen met negatieve massaweerstand H01L 47/00) [2,8]

H 01 L 45/02 . Halfgeleiderapparatuur met lopende golf [2]

H 01 L 47/00 Inrichtingen met negatieve massaweerstand, bijv. Gunn-inrichtingen; Speciaal aangepaste processen of apparatuur voor het maken of behandelen daarvan of van delen daarvan (inrichtingen die bestaan uit meerdere halfgeleidercomponenten die worden gevormd in of op een gemeenschappelijk substraat H01L 27/00) [2,8]

H 01 L 47/02 . Gunn-inrichtingen [2]

H 01 L 49/00 Halfgeleiderapparatuur die niet valt onder de groepen H01L 27/00 tot H01L 47/00 en H01L 51/00, en die niet in een andere subklasse is ondergebracht; Speciaal aangepaste processen of apparatuur voor het maken of behandelen daarvan of van delen daarvan [2,8,9]

H 01 L 49/02 . Inrichtingen in de vorm van een dunne of dikke film [2]

H 01 L 51/00 Halfgeleiderapparatuur gebruikmakend van organische materialen als het actieve deel, of waarbij gebruik wordt gemaakt van een combinatie van organische materialen met andere materialen als het actieve deel; Speciaal aangepaste processen of apparatuur voor het maken of behandelen van dergelijke inrichtingen of van delen daarvan (inrichtingen bestaande uit meerdere componenten die zijn gevormd in of op een gezamenlijk substraat H01L 27/28; thermo-elektrische inrichtingen gebruikmakend van organisch materiaal H01L 35/00 of H01L 37/00; piëzo-elektrische, elektrostrictieve of magnetostrictieve elementen gebruikmakend van organisch materiaal H01L 41/00) [6,8]

H 01 L 51/05 . speciaal aangepast voor het gelijkrichten, versterken, oscilleren of schakelen, en met tenminste één potentiaalsprongbarrière of oppervlaktebarrière; Condensatoren of weerstanden met tenminste één potentiaalsprongbarrière of oppervlaktebarrière [8]

H 01 L 51/10 . . Details van inrichtingen [6,8]

H 01 L 51/30 . . Selectie van materialen [6]

H 01 L 51/40 . Speciaal aangepaste processen of apparatuur voor het maken of behandelen van dergelijke inrichtingen of van delen daarvan [6]

H 01 L 51/42 . speciaal aangepast voor het aftasten van infraroodstraling, licht, elektromagnetische straling van kortere golflengte of lichaamsstraling; speciaal aangepast voor ofwel het omzetten van de energie van dergelijke straling in elektrische energie, ofwel het regelen van elektrische energie bij dergelijke straling [8]

H 01 L 51/44 . . Details van inrichtingen [8]

H 01 L 51/46 . . Keuze van materialen [8]

H 01 L 51/48 . . Speciaal aangepaste processen of apparatuur voor het maken of behandelen van dergelijke inrichtingen of delen daarvan [8]

H 01 L 51/50 . speciaal aangepast voor lichtuitstraling, bijv. organische licht-uitstralende diodes (OLED) of polymere licht-uitstralende inrichtingen (PLED) (organische halfgeleiderlasers H01S 5/36) [8]

H 01 L 51/52 . . Details van inrichtingen [8]

H 01 L 51/54 . . Keuze van materialen [8,9]

H 01 L 51/56 . . Speciaal aangepaste processen of apparatuur voor het maken of behandelen van dergelijke inrichtingen of delen daarvan [8]